[发明专利]MOSFET以及电力转换电路

权利要求书

1.一种MOSFET，用于至少具备：反应器；向所述反应器提供电流的电源；对从所述电源提供至所述反应器的电流进行控制的MOSFET；以及对从所述电源提供至所述反应器的电流或对来自于所述反应器的电流进行整流运作的整流元件,的电力转换电路中，其特征在于，包括：

半导体基体，具有：n型柱形区域、以及p型柱形区域，并且由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构，

其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于：

其中，所述n型柱形区域的掺杂物总量在所述p型柱形区域的掺杂物总量的1.05倍～1.15倍的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的MOSFET，其特征在于：

其中，所述第三期间内每个单位时间的所述漏极电流的减少量，比所述第一期间内每个单位时间的所述漏极电流的减少量更小。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的MOSFET，其特征在于：

其中，在关断所述MOSFET后，运作为在米勒期间结束后出现栅源电压暂时上升的期间。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的MOSFET，其特征在于：

其中，所述半导体基体进一步具有：形成在所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域的表面上的p型基极区域；以及形成在所述基极区域的表面上的n型源极区域，

所述MOSFET为沟槽栅极型MOSFET,其进一步包括：

从平面上看在所述n型柱形区域所在的区域内，被形成至比所述基极区域的最深部更深的位置上的，并且被形成为使所述源极区域的一部分外露在内周面上的沟槽；以及

经由形成在所述沟槽的内周面上的栅极绝缘膜被埋设在所述沟槽的内部后形成的栅电极。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的MOSFET，其特征在于：

其中，所述半导体基体进一步具有：形成在所述n型柱形区域的一部分以及所述p型柱形区域的全部表面上的p型基极区域；以及形成在所述基极区域的表面上的n型源极区域，

所述MOSFET为平面栅极型MOSFET,其进一步包括：经由栅极绝缘膜形成在被夹在所述源极区域与所述n型柱形区域之间的所述基极区域上的栅电极。

7.根据权利要求6所述的MOSFET，其特征在于：

其中，所述半导体基体进一步具有：形成在所述n型柱形区域的表面上未形成有所述基极区域的部分上的n型表面高浓度扩散区域。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的MOSFET，其特征在于：

其中，在所述p型柱形区域的深度方向上，所述p型柱形区域的宽度随着从所述p型柱形区域的深部朝着其表面逐渐变宽。

9.根据权利要求1至7中任意一项所述的MOSFET，其特征在于：

其中，在所述p型柱形区域的深度方向上，所述p型柱形区域的掺杂物浓度随着从所述p型柱形区域的深部朝着其表面逐渐变高。

10.一种电力转换电路，其特征在于，至少包括：

反应器；

向所述反应器提供电流的电源；

对从所述电源提供至所述反应器的电流进行控制的权利要求1至9中任意一项所述的MOSFET；以及

对从所述电源提供至所述反应器的电流或对来自于所述反应器的电流进行整流运作的整流元件。

11.根据权利要求10所述的电力转换电路，其特征在于：

其中，所述整流元件为快速恢复二极管。