[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

积层体，包含第1电极层、及沿积层方向与所述第1电极层隔着第1绝缘膜相接的第2电极层；

至少2个第1绝缘层，跨及所述积层体的上端到所述积层体的下端设置在所述积层体，且沿与所述积层方向相交的第1方向延伸；

第1阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的第1端部区域；

第2阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的位于所述第1端部区域的相反侧的第2端部区域；及

第2绝缘层，沿所述第1方向延伸，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体，且沿与所述第1方向相交的第2方向将所述第2电极层分离；且

所述第2绝缘层沿所述第1方向的长度比所述第2电极层沿所述第1方向的长度更长，且比所述第1电极层沿所述第1方向的长度更短，

所述第1电极层为虚设字线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2电极层为选择栅极层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述积层体具备第1柱状部，所述第1柱状部设置在所述积层体的位于所述第1端部区域与所述第2端部区域之间的中间区域，且沿所述积层方向延伸；

所述第1柱状部包含：

半导体主体，沿所述积层方向延伸；及

电荷蓄积部，设置在所述半导体主体与所述第1电极层之间。

4.一种半导体装置，具备：

积层体，包含第1电极层、沿积层方向与所述第1电极层隔着第2绝缘膜相接的第2电极层、及沿所述积层方向与所述第2电极层隔着第3绝缘膜相接的第3电极层；

至少2个第1绝缘层，跨及所述积层体的上端到所述积层体的下端设置在所述积层体，且沿与所述积层方向相交的第1方向延伸；

第1阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的第1端部区域；

第2阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的位于所述第1端部区域相反侧的第2端部区域；

第2绝缘层，沿所述第1方向延伸，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体，且沿与所述第1方向相交的第2方向将所述第3电极层分离；及

配线，将所述第1电极层与所述第2电极层在所述积层体中电连接；

所述第1电极层为第1字线，

所述第2电极层为第2字线，

所述第3电极层为选择栅极层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1字线为第1虚设字线，

所述第2字线为第2虚设字线。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第2绝缘层沿所述第2方向将所述第2字线分离。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述积层体具备第1柱状部，所述第1柱状部设置在所述积层体的位于所述第1端部区域与所述第2端部区域之间的中间区域，且沿所述积层方向延伸；

所述第1柱状部包含：

半导体主体，沿所述积层方向延伸；及

电荷蓄积部，设置在所述半导体主体与所述第1电极层之间。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述配线设置在积层体外，

所述配线设置在所述第1端部区域及所述第2端部区域中的至少一个区域的上方。

9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述配线设置在所述积层体之中，

所述配线设置在所述第2绝缘层的下方。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述积层体具备贯通所述第2绝缘层并沿所述积层方向延伸的第2柱状部，且

所述第2柱状部具有与所述第1柱状部相同的结构；

所述配线沿所述第2柱状部设置。