[发明专利]功率放大器、射频拉远单元及基站有效
申请号: | 201680089217.1 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN109716681B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 蔡中华;张立鹏;王开展;庞志远;朱胜 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H04B17/13 | 分类号: | H04B17/13;H04B14/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 射频 单元 基站 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,包括多相脉冲宽度调制器、N个开关放大器和N个低通滤波器;其中,所述N为正整数;
所述多相脉冲宽度调制器,与所述N个开关放大器相连,用于产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号;
开关放大器Sn,用于接收所述多相脉冲宽度调制器产生的第n个多相脉冲宽度调制信号PWMn,并对所述PWMn信号放大,其中,所述开关放大Sn为所述N个开关放大器中的第n个开关放大器;
低通滤波器Fn,与所述开关放大器Sn相连,用于对经所述开关放大器Sn输出的信号进行滤波,其中,所述低通滤波器Fn为所述N个低通滤波器中的第n个低通滤波器;其中,所述n为正整数,且所述1≤ n ≤N;
其中,
所述低通滤波器Fn,包括射频退耦电容、低通元件和馈线;
所述射频退耦电容的一端与所述馈线相连;所述射频退耦电容的另一端接地;
其中,所述低通元件的一端连接到馈线,低通元件的另一端连接到开关放大器Sn;
其中,所述低通元件的参数由滤波和扼流性能决定。
2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述低通滤波器Fn还包括电感,所述低通元件的一端与电感相连。
3.根据权利要求1至2任一项所述的功率放大器,其特征在于,
所述多相脉冲宽度调制器包括现场可编程门阵列FPGA,专用集成电路ASIC或模拟电路。
4.一种射频拉远单元RRU,包括如前述权利要求1至3任一项所述的功率放大器。
5.一种基站,包括权利要求4所述的RRU。
6.一种功率放大方法,其特征在于,应用于权利要求1至3任一项所述的功率放大器,方法包括:
产生N个多相脉冲宽度调制PWM信号;其中,所述N为正整数;
对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn放大;
对所述多相脉冲宽度调制信号PWMn低通滤波;
其中,所述PWMn信号为所述N个多相脉冲宽度调制信号中的第n个;所述n为正整数,且所述1≤ n ≤N。
7.根据权利要求6所述的功率放大方法,其特征在于,
对经滤波后的所述多相脉冲宽度调制信号PWMn扼流。
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