[发明专利]防止光致抗蚀剂显影剂蚀刻的缓冲层

权利要求书

1.一种制造量子电路器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一层和第二层的器件，所述第二层与所述第一层的表面接触，其中第二层包括在处于相应的超导临界温度时或低于相应的超导临界温度时表现出超导特性的第一超导体材料；

在第二层的表面上形成缓冲材料以形成蚀刻缓冲层，其中在暴露于光致抗蚀剂显影剂时缓冲材料相对于第二层的蚀刻速率选择性使得在蚀刻缓冲层暴露于光致抗蚀剂显影剂期间不会蚀刻下面的第二层；

沉积抗蚀剂层并去除所述抗蚀剂层的选定部分以露出蚀刻缓冲层的第一部分，其中去除抗蚀剂层的选定部分包括将光致抗蚀剂显影剂施加到抗蚀剂层的选定部分；

去除所述蚀刻缓冲层的露出的第一部分以露出所述第二层的第一部分；

在所述第二层的露出的第一部分上形成电介质材料或第二超导体材料，所述第二超导体材料在处于相应的超导温度或低于相应的超导温度时表现出超导特性；和

在沉积所述电介质材料或第二超导体材料之后，去除所述蚀刻缓冲层和所述抗蚀剂层的剩余部分，

其中，所述第二层和所述电介质材料或所述第二层和所述第二超导体材料形成量子电路器件的一部分，量子电路器件包括平行板电容器、微带谐振器或传输线，

其中，所述缓冲材料包括聚合物，

其中，所述聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在暴露于光致抗蚀剂显影剂时所述缓冲材料相对于所述第二层的蚀刻速率选择性小于1：2。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二层的第一超导体材料是铝。

4.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述蚀刻缓冲层的露出的第一部分包括使所述蚀刻缓冲层的露出的第一部分经受干蚀刻。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述干蚀刻包括O₂等离子体。

6.如权利要求1所述的方法，还包括，蚀刻所述第二层的露出的第一部分。

7.如权利要求6所述的方法，还包括，在蚀刻所述第二层的露出的第一部分之后，去除所述蚀刻缓冲层和所述抗蚀剂层的剩余部分。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一层包括基底。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述基底包括硅晶片或蓝宝石晶片。