[发明专利]清洗衬底的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201680089376.1 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN109789450B 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 王晖;王希;陈福平;陈福发;王坚;张晓燕;金一诺;贾照伟;王俊;李学军 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 清洗 衬底 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种使用超/兆声波装置清洗衬底上的通孔、凹进区域的方法,其特征在于,包括:

将液体喷射到衬底和超/兆声波装置之间的间隙中;

设置超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1以驱动超/兆声波装置在气泡总体积和衬底上的通孔、凹进区域的体积的比值增大到第一设定值后,设置超/兆声波电源的频率为f2,功率为P2以驱动超/兆声波装置;

在气泡总体积和衬底上的通孔、凹进区域的体积的比值减小到第二设定值后,再次设置超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1

重复以上步骤直到衬底洗净。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一设定值低于气泡饱和点。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一设定值为气泡饱和点。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,即使在气泡总体积和衬底上的通孔、凹进区域的体积的比值达到气泡饱和点后,超/兆声波电源仍然保持频率为f1,功率为P1,且持续时间为mτ1,这里的τ1为达到气泡饱和点的时间,m为τ1的倍数,随后,设置超/兆声波电源的频率为f2,功率为P2以驱动超/兆声波装置。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,m的值为0.1-100。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,气泡内的温度冷却导致气泡总体积和衬底上的通孔、凹进区域的体积的比值减小到第二设定值。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源频率为f1,功率为P1和设置所述超/兆声波电源频率为f2,功率为P2之间的时间间隔小于2000倍的频率为f1的波形周期。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源频率为f1,功率为P1和设置所述超/兆声波电源频率为f2,功率为P2之间的时间间隔小于((Vi-V0–ΔV)/(ΔV-δV)+1)/f1,其中,Vi为所需体积,V0为初始体积,ΔV为气泡在一次压缩后的体积减量,δV为气泡在一次膨胀后的体积增量。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率P2的值设为0。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1等于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1高于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1

12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1等于所述功率P2

13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1大于所述功率P2

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司,未经盛美半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680089376.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top