[发明专利]衬底清洗方法及清洗装置有效

专利信息
申请号: 201680089380.8 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN109791899B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 王晖;王希;陈福平;陈福发;王坚;张晓燕;金一诺;贾照伟;王俊;李学军 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 衬底 清洗 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种使用超/兆声波装置清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法,其特征在于,包括:

将液体喷射到衬底和超/兆声波装置之间的间隙中;

设置超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1以驱动所述超/兆声波装置;

在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前,设置所述超/兆声波电源的频率为f2,功率为P2以驱动所述超/兆声波装置;

待气泡内的温度冷却到设定温度后,再次设置所述超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1

重复上述步骤直到衬底被洗净。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过将温度Tn控制在温度Td之下(控制时间Δτ)来将气泡内爆控制在会导致图案化结构损伤的内爆强度之下,其中Tn是超/兆声波对气泡连续作用n个周期后获得的气泡最高温度值,Td是累积一定量的气泡内爆的温度,该累积一定量的气泡内爆具有导致图案化结构损伤的高强度(能量)。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源的频率为f1、功率为P1与设置所述超/兆声波电源的频率为f2、功率为P2之间的时间间隔小于2000倍的频率f1的波形周期。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源的频率为f1、功率为P1与设置所述超/兆声波电源的频率为f2、功率为P2之间的时间间隔小于((Ti-T0-ΔT)/(ΔT–δT)+1)/f1,其中Ti是当所述气泡内爆时气泡内部气体和蒸汽的温度,T0是所述液体的温度,ΔT是所述气泡一次压缩后的温度增量,δT是所述气泡一次膨胀后的温度减量。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率P2的值设为0。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1等于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1高于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1等于所述功率P2

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1大于所述功率P2

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1小于所述功率P2

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述超/兆声波电源输出功率P1具有逐渐增大的振幅。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司,未经盛美半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680089380.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top