[发明专利]衬底清洗方法及清洗装置有效
申请号: | 201680089380.8 | 申请日: | 2016-09-20 |
公开(公告)号: | CN109791899B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 王晖;王希;陈福平;陈福发;王坚;张晓燕;金一诺;贾照伟;王俊;李学军 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 清洗 方法 装置 | ||
1.一种使用超/兆声波装置清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法,其特征在于,包括:
将液体喷射到衬底和超/兆声波装置之间的间隙中;
设置超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1以驱动所述超/兆声波装置;
在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前,设置所述超/兆声波电源的频率为f2,功率为P2以驱动所述超/兆声波装置;
待气泡内的温度冷却到设定温度后,再次设置所述超/兆声波电源的频率为f1,功率为P1;
重复上述步骤直到衬底被洗净。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过将温度Tn控制在温度Td之下(控制时间Δτ)来将气泡内爆控制在会导致图案化结构损伤的内爆强度之下,其中Tn是超/兆声波对气泡连续作用n个周期后获得的气泡最高温度值,Td是累积一定量的气泡内爆的温度,该累积一定量的气泡内爆具有导致图案化结构损伤的高强度(能量)。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源的频率为f1、功率为P1与设置所述超/兆声波电源的频率为f2、功率为P2之间的时间间隔小于2000倍的频率f1的波形周期。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置所述超/兆声波电源的频率为f1、功率为P1与设置所述超/兆声波电源的频率为f2、功率为P2之间的时间间隔小于((Ti-T0-ΔT)/(ΔT–δT)+1)/f1,其中Ti是当所述气泡内爆时气泡内部气体和蒸汽的温度,T0是所述液体的温度,ΔT是所述气泡一次压缩后的温度增量,δT是所述气泡一次膨胀后的温度减量。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率P2的值设为0。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1等于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1高于所述频率f2,所述功率P2小于所述功率P1。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1等于所述功率P2。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1大于所述功率P2。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述频率f1小于所述频率f2,所述功率P1小于所述功率P2。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述超/兆声波电源输出功率P1具有逐渐增大的振幅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造