[发明专利]单电子晶体管有效
| 申请号： | 201680089487.2 | 申请日： | 2016-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN109791944B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | H.C.乔治 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/66;H01L29/792;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑瑾彤;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一和第二绝缘支撑件；
单电子晶体管（SET）的第一和第二源极/漏极电极，其中第一源极/漏极电极被布置在第一绝缘支撑件的侧面上，并且第二源极/漏极电极被布置在第二绝缘支撑件的侧面上；
所述单电子晶体管的岛，其被布置在第一和第二源极/漏极电极之间并延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中；以及
第一和第二电介质部分，其中第一电介质部分被布置在第一源极/漏极电极和所述岛之间，并且第二电介质部分被布置在第二源极/漏极电极和所述岛之间，以分别提供第一和第二隧道结（TJ），
其中，第一绝缘支撑件的侧面是第一绝缘支撑件的第一侧面，并且所述器件还包括：
被布置在第一绝缘支撑件的第二侧面上的栅极电极。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述岛的高度小于第一源极/漏极电极的高度。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，第一和第二源极/漏极电极被布置在基体上，并且另一电介质部分被布置在所述基体和所述岛之间。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，第一和第二电介质部分具有0.5至5纳米之间的厚度。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，第一和第二源极/漏极电极具有分别从第一和第二绝缘支撑件的侧面测量的在1至10纳米之间的厚度。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的器件，还包括：
第三绝缘支撑件；以及
所述单电子晶体管的栅极电极，其被布置在第三绝缘支撑件的侧面上。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，第三绝缘支撑件的侧面面对第一和第二绝缘支撑件的侧面。
8.根据权利要求6所述的器件，还包括：
第三电介质部分，其被布置在所述岛和所述栅极电极之间。
9.根据权利要求1-5中的任一项所述的器件，其中，所述单电子晶体管是第一单电子晶体管，所述岛是第一岛，第一绝缘支撑件的侧面是第一绝缘支撑件的第一侧面，第二绝缘支撑件的侧面是第二绝缘支撑件的第一侧面，并且所述器件还包括：
第二单电子晶体管的第三和第四源极/漏极电极，其中第三源极/漏极电极被布置在第一绝缘支撑件的第二侧面上并且第四源极/漏极电极被布置在第二绝缘支撑件的第二侧面上；
第二单电子晶体管的第二岛，其被布置在第三和第四源极/漏极电极之间并延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中；以及
第三和第四电介质部分；其中，第三电介质部分被布置在第三源极/漏极电极和第二岛之间，并且第四电介质部分被布置在第四源极/漏极电极和第二岛之间。
10.根据权利要求9所述的器件，还包括：
第三绝缘支撑件；以及
第一单电子晶体管的栅极电极，其被布置在第三绝缘支撑件的侧面上，其中第三绝缘支撑件的侧面面对第一和第二绝缘支撑件的第一侧面。
11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述栅极电极是第一栅极电极，第三绝缘支撑件的侧面是第一侧面，并且所述器件还包括：
被布置在第三绝缘支撑件的第二侧面上的第二栅极电极。
12.根据权利要求10所述的器件，还包括：
第四绝缘支撑件；以及
第二单电子晶体管器件的栅极电极，其被布置在第四绝缘支撑件的侧面上，其中第四绝缘支撑件的侧面面对第一和第二绝缘支撑件的第二侧面。
13.根据权利要求9所述的器件，其中，第三绝缘支撑件被布置在第一和第二绝缘支撑件之间，并且第三绝缘支撑件被布置在第一和第二岛之间。
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