[发明专利]包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构

说明书

本发明涉及一种封装结构（100），包括具有第一和第二传导块区段（10A、20A）和第一平面传输线路（2A）与第二传输线路（11A）之间的至少一个过渡的裂纹式砌块组件，以及一个或多个输入/输出端口。第一传输线路（2A）布置在衬底上，例如MMIC（1A），设置在第一传导块区段（10A）上并且包括耦合区段（3A），第一传导块（10A）包括具有第一传导块区段（10A）的上表面中的腔体开口的腔体（4A），所述腔体开口如此布置使得在裂纹式砌块组件的组装状态中，耦合区段（3A）将位于腔体（4A）的开口中或上方，第二传输线路（11A）与第一传输线路（2A）一致并且位于腔体（4A）的开口的相对侧上。第二传导块区段（20A）充当封装结构的组装状态中的盖子。传导块区段中的一个提供有沿着或者面向第一传输线路（2A）和第二传输线路（11A）的过渡区中的高阻抗表面（15A），窄隙提供在高阻抗表面区（15A）与至少处于过渡区中的其它传导块区段（10A）的相对表面之间，使得过渡将是无接触的，而没有第一和第二传输线路（2A、11A）之间的任何电流接触。

技术领域

本发明涉及具有权利要求1的第一部分的特征的封装结构，所述封装结构包括第一传输线路与第二传输线路之间的至少一个过渡（transition）。

本发明还涉及具有权利要求31的第一部分的特征的包括无接触过渡的互连装置。

本发明还涉及如权利要求33中的互连装置用于在包括电子电路或被测设备（DUT）的设备上执行测量的用途。

背景技术

在毫米波和亚毫米波频带中，高频率的使用正受到越来越多的关注。能够使用毫米或亚毫米波频率区是有吸引力的，因为在这些频率区中较大的频率带宽是可用的。因此，出于许多不同的目的和应用而需要电路与波导或天线之间、电路之间以及波导之间的过渡或互连。然而，若干个问题与这样的接口的提供相关联。具有良好的电性能、机械稳定性和低成本的封装对于高频率应用是关键的。用于芯片对芯片互连的常规技术是引线接合和倒装芯片封装。

通常，对于这样的高频率下的波导与电路之间的过渡，使用分离的探针过渡来提供波导与电路之间的接口。探针过渡将波导TE10模式转换到微带或共面模式。探针过渡必须足够窄以防止波导模式向电路腔体中的泄露。泄露导致直接损耗以及电路腔体内的谐振的出现。

然而，分离的探针过渡要求接合引线或者倒装芯片连接。而且，对于芯片对芯片互连，使用引线接合和倒装芯片封装。

与高频率下的引线接合相关联的问题在于：引线电感可以相当高，引起阻抗失配。另外，接合引线可以在70GHz以上显著地辐射。这两个效应可以导致降级并且甚至严重地影响性能。另外，由于高频率下的接合引线可以导致阻抗失配，并且是感应的，所以带宽将受限制。在形成腔体的金属外罩中封装电路。来自接合引线的辐射可以激发此腔体内的谐振。为了抑制谐振，常见措施已经是通过使用金属壁而将腔体划分在较小的腔体中，并且在腔体内放置有损耗的吸收体。通常具有三个或四个互连的MMIC的集成前端的总插入损耗可以从3dB波动至高达8dB。此外，由于接合焊盘的位置中的误差、接合芯片或衬底的机械容差、以及引线环形状和引线长度的有限控制，使用毫米波频率范围中的接合引线技术难以实现可再现性。电路的接合焊盘接触区域在高频率下变得非常小，并且接合常常损坏高频焊盘，因此影响产量。