[发明专利]高频放大器有效
| 申请号： | 201680090275.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109863592B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 松井敏夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H03F3/193;H01L23/00;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频放大器，其特征在于，
具有：
半导体基板；
晶体管，其形成于所述半导体基板的表面，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；
第1及第2配线，它们以夹着所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极的方式形成于所述半导体基板的所述表面之上；
多个导线，它们从所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极的上方穿过而与所述第1及第2配线连接；以及
封装材料，其对所述晶体管、所述第1及第2配线、以及所述多个导线进行封装，
所述封装材料含有填料，
所述多个导线彼此的分离距离比所述填料的粒径窄，
在所述多个导线和所述晶体管之间形成有所述封装材料未进入的空腔。
2.根据权利要求1所述的高频放大器，其特征在于，
所述多个导线具有多个第1导线以及配置于所述多个第1导线的上方的多个第2导线，
在从与所述半导体基板的所述表面垂直的方向观察的俯视观察时，所述多个第2导线配置于所述多个第1导线之间的间隙。
3.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，
所述第1及第2配线与所述源极电极连接。
4.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，
所述第1及第2配线相对于所述源极电极独立。
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