[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征为具有：

在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，

在前述半导体基板的第一主表面，形成具有前述第一导电型，且具有比前述半导体基板更高的掺杂物浓度的基底层的步骤，

在该基底层上形成扩散屏蔽的步骤，

将前述扩散屏蔽图案状地除去，使除去的处所以外的扩散屏蔽残存的步骤，

在除去前述第一主表面之前述扩散屏蔽的处所，形成具有与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层的步骤，

除去前述残存的扩散屏蔽的步骤，

于前述第一主表面上形成介电体膜的步骤，

于前述基底层上形成基底电极的步骤，以及

在前述射极层上形成射极电极的步骤。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在图案状地除去前述扩散屏蔽的步骤之后、且在形成前述射极层的步骤之前，将除去了前述扩散屏蔽的处所的半导体基板表面予以蚀刻。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

使前述射极层形成后的该射极层上的氧化硅膜厚度为95nm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

前述第一导电型为P型，前述第二导电型为N型，于形成前述基底层的步骤，在形成前述基底层之际，同时于前述第一主表面上形成玻璃层，于形成前述扩散屏蔽的步骤，残留前述玻璃层的状态下在前述基底层上形成扩散屏蔽。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

前述第一导电型为P型，前述第二导电型为N型，前述介电体膜形成后，不除去该介电体膜而形成前述基底电极及前述射极电极。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

前述第一导电型为N型，前述第二导电型为P型，使形成前述介电体膜的步骤，为以覆盖前述基底层及前述射极层的方式形成氧化铝膜，于该氧化铝膜上形成氮化硅膜的步骤。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

于形成前述基底层的步骤，将前述基底层形成于前述第一主表面的全面。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

使前述凹凸为纹理(texture)。

9.一种太阳能电池，其特征在于：

具备具有第一导电型的半导体基板；于该基板的第一主表面，具备具有前述第一导电型，且具有比前述半导体基板更高的掺杂物浓度的基底层及与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层；于前述基底层上及前述射极层上具备介电体膜，具备与前述基底层导电连接的基底电极，具备与前述射极层导电连接的射极电极；

至少于前述基底电极与前述基底层的接触接口，在前述半导体基板表面被形成凹凸，

于前述第一主表面上图案状地具有表面为平坦的凹部，前述射极层被形成于该凹部内表面。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，

前述第一导电型为N型，前述第二导电型为P型，前述介电体膜为氧化铝膜与氮化硅膜的层积构造，前述氧化铝膜与前述第一主表面相接。

11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池，其中，

前述基底层及前述射极层邻接。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的太阳能电池，其中，

前述半导体基板的第二主表面被形成凹凸。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的太阳能电池，其中，

前述凹凸为纹理(texture)。