[发明专利]垂直磁电自旋轨道逻辑

权利要求书

1.一种装置，其包括：

具有垂直磁各向异性（PMA）的第一磁体；

层堆叠，其一部分与所述第一磁体相邻，其中所述层堆叠用以提供反Rashba-Bychkov效应；

具有PMA的第二磁体；

与所述第二磁体相邻的磁电层；以及

耦合到所述层堆叠的至少一部分和所述磁电层的导体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述磁电层包括具有输出面外残余磁化的磁电钙钛矿。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述磁电钙钛矿包括一种材料，所述材料包括以下各项之一：BFO、La-BFO或Ce-BFO。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述磁电层包括具有面外磁性而没有铁电性的磁电氧化物。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述磁电层包括一种材料，所述材料包括以下各项之一：Cr₂O₃或B-Cr₂O₃。

6.根据权利要求1所述的装置，其中材料堆叠包括具有自旋轨道相互作用的二维材料（2D）。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述2D材料包括以下各项中的一种或多种：Mo、S、W、Se、石墨烯、MoS₂、WSe₂、WS₂或MoSe₂。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述2D材料包括吸收剂，所述吸收剂包括以下各项中的一种或多种：Cu、Ag、Pt、Bi、Fr或H吸收剂。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一磁体和第二磁体是包括掺杂剂的磁体，所述掺杂剂包括以下各项中的一种或多种：W、O、Ce、Al、Li、Mg、Na、Cr₂O₃、CoO、Dy、Dy₂O、Er、Er₂O₃、Eu、Eu₂O₃、Gd、Gd₂O₃、FeO、Fe₂O₃、Nd、Nd₂O₃、K、KO₂、Pr、Sm、Sm₂O₃、Tb、Tb₂O₃、Tm、Tm₂O₃、V或V₂O₃。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一磁体和第二磁体包括一种材料或材料的组合，所述材料包括以下各项中的一种或多种：Heusler合金、Co、Fe、Ni、Gd、B、Ge、Ga、坡莫合金或钇铁石榴石（YIG）。