[发明专利]硬薄膜在审
申请号: | 201680090819.9 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN109964153A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 沙拉法特·阿里;伯·琼森;延斯·伯奇;佩尔·埃克隆德 | 申请(专利权)人: | 赫普维科有限公司 |
主分类号: | G02B1/14 | 分类号: | G02B1/14 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 胡秋玲;郑霞 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改性剂 场强 表面性质 低折射率 高折射率 紫外线消 透明的 阳离子 硬薄膜 沉积 改进 | ||
1.一种薄膜,包括:
硅、磷和硼中的至少一种;
氮;
氧;以及
至少一种改性剂元素,所述至少一种改性剂元素具有至少且不大于的阳离子场强。
2.如权利要求1所述的膜,其中所述至少一种改性剂元素包括钙、锶和钡中的至少一种。
3.如权利要求1和2中任一项所述的膜,其中所述至少一种改性剂元素包括钇、镨、铈、钪、钕和镧中的至少一种。
4.如权利要求1-3中任一项所述的膜,其中所述至少一种改性剂元素包括钛、锆、铌、钽和镓中的至少一种。
5.如权利要求1-4中任一项所述的膜,其中所述膜具有在450nm和1200nm之间不超过1.8并且特别是低于1.65、特别是至少1.45、特别是在约1.5和1.62之间的折射率。
6.如权利要求1-5中任一项所述的膜,其中:
所述膜具有在2GPa和16GPa之间、特别是至少8GPa的硬度,以及至少3eV并且特别是不大于5.25eV、特别是在3.5eV和4.5eV之间的带隙。
7.如权利要求1-6中任一项所述的膜,其中:
所述膜具有至少2GPa、特别是不大于14GPa的硬度,以及在633nm处不大于1.85并且特别是至少1.45的折射率。
8.如权利要求1-7中任一项所述的膜,其中:
所述膜具有至少3.25eV、特别是不大于5.25eV的带隙,以及在633nm处不大于1.85并且特别是至少1.5的折射率。
9.如权利要求1-8中任一项所述的膜,其中所述膜具有在233nm处不超过0.01、特别是不超过0.005的消光系数。
10.如权利要求1-9中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少40GPa且不大于120GPa、特别是在约50GPa和80GPa之间的纳米压痕降低的弹性模量。
11.如权利要求1-10中任一项所述的膜,其中,以原子%计:
所述硅、磷和硼中的至少一种的量是至少4%且不大于60%,特别是约10%-50%;
所述氮的量是至少10%且不大于70%,特别是约15%-60%;
所述氧的量是至少3%且不大于60%,特别是约5%-50%;并且
所述至少一种改性剂元素的量是至少0.1%且不大于50%,特别是约5%-45%。
12.如权利要求1-11中任一项所述的膜,其中所述至少一种改性剂元素具有至少且不大于的阳离子场强。
13.如权利要求1-12中任一项所述的膜,其中所述膜具有大于14GPa的纳米压痕硬度。
14.如权利要求1-13中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少120GPa、特别是多达180GPa的降低的弹性模量。
15.如权利要求1-14中任一项所述的膜,其中所述膜具有在633nm处至少1.8、特别是多达约2.1的折射率。
16.如权利要求1-15中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少3eV、特别是多达5.5eV的带隙。
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