[发明专利]具备放射深紫外光的半导体发光元件的发光组件在审
申请号: | 201680091035.8 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN110036493A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 井上振一郎;谷口学;中屋晃成 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人情报通信研究机构 |
主分类号: | H01L33/56 | 分类号: | H01L33/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 深紫外光 半导体发光元件 发光组件 放射 封装件 透明的 密封半导体 发光元件 透明构件 容纳 | ||
本发明的发光组件(1)具备:放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)、密封半导体发光元件(10)的液体(50)、以及容纳半导体发光元件(10)和液体(50)的封装件(30、40)。液体(50)对深紫外光(18)是透明的。封装件(30、40)具有对深紫外光(18)为透明的透明构件(40)。因此,可提供一种具备放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)的、可靠性高的发光组件(1)。
技术领域
本发明涉及具备放射深紫外光的半导体发光元件的发光组件。
背景技术
以往,已知放射红外光、蓝光的半导体发光元件是被固化的树脂密封的发光组件(参照专利文献1)。另外,还已知放射深紫外光的半导体发光元件(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-217459号公报
专利文献2:国际公开第2015/016150号
发明内容
但是,用对红外光、蓝光具有高透射率的树脂密封放射深紫外光的半导体发光元件时,从发光组件输出的深紫外光的强度会随着发光时间的推移而迅速降低。因此,存在具备放射深紫外光的半导体发光元件的发光组件的可靠性明显较低的问题。这一发光组件的可靠性的明显降低是半导体发光元件所放射的光为深紫外光的情况下所伴有的特有的问题。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,提供一种具备放射深紫外光的半导体发光元件的、可靠性高的发光组件。
本发明的深紫外发光组件具备:放射深紫外光的半导体发光元件、密封半导体发光元件的液体、以及收容半导体发光元件和液体的封装件。液体对从半导体发光元件放射的深紫外光是透明的。封装件具有对从半导体发光元件放射的深紫外光为透明的透明构件。
根据本发明的发光组件,可以提供一种具备放射深紫外光的半导体发光元件的、可靠性高的发光组件。
附图说明
图1为实施方式1的发光组件的截面示意图。
图2的(A)为示出实施方式1的发光组件的制造方法的流程的图。(B)为示出准备实施方式1的发光组件所具备的半导体发光元件的工序的流程的图。
图3的(A)为示出实施方式1的发光组件的制造方法中某一工序的部分截面示意图。(B)为示出实施方式1的发光组件的制造方法中(A)的下一工序的部分截面示意图。(C)为示出实施方式1的发光组件的制造方法中(B)的下一工序的部分截面示意图。
图4的(A)为示出实施方式1的发光组件和比较例的发光组件的光输出相对于运行时间的变化率的图。(B)为示出实施方式1的发光组件和比较例的发光组件的光输出相对于供应电流大小的变化的图。
图5为实施方式2的发光组件的截面示意图。
图6的(A)为示出实施方式2的发光组件所具备的半导体发光元件的制造方法的流程的图。(B)为示出在实施方式2的发光组件所具备的半导体发光元件上形成凹凸结构的工序的流程的图。
图7的(A)为示出实施方式2的发光组件所具备的凹凸结构的截面SEM图像的图。(B)为实施方式2的发光组件所具备的凹凸结构的截面SEM图像的局部放大图。(C)为实施方式2的发光组件所具备的凹凸结构的截面SEM图像的另一局部放大图。
图8为实施方式3的发光组件的截面示意图。
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