[发明专利]栅极驱动电路

权利要求书

1.一种栅极驱动电路，其特征在于，具备：

多个栅极驱动器单元，其分别对并联连接的多个半导体开关元件进行驱动；以及

控制电路，其对所述多个栅极驱动器单元进行控制，

各栅极驱动器单元具有：

栅极驱动器，其向对应的所述半导体开关元件的栅极供给栅极电压；以及

电位差测定部，其对由对应的所述半导体开关元件的发射极侧的配线电感产生的电位差以输出频率的1个周期为单位进行测定，

所述控制电路以使导通或者截止的通断动作时的所述多个半导体开关元件的所述电位差彼此相同的方式，对由各栅极驱动器单元的所述栅极驱动器供给的所述栅极电压进行调整，

各栅极驱动器单元还具有集电极-发射极间电位差测定部，该集电极-发射极间电位差测定部将对应的所述半导体开关元件的集电极-发射极间电压以输出频率的1个周期为单位进行测定，

所述控制电路以使稳态接通时的所述多个半导体开关元件的所述集电极-发射极间电压彼此相同的方式，对由各栅极驱动器单元的所述栅极驱动器供给的所述栅极电压进行调整。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，

所述控制电路以使所述多个半导体开关元件的产生所述电位差的定时相同的方式，对由各栅极驱动器单元的所述栅极驱动器供给的所述栅极电压进行调整。

3.根据权利要求1或2所述的栅极驱动电路，其特征在于，

所述多个半导体开关元件是Si-晶体管、Si-MOSFET或者Si-IGBT。

4.根据权利要求1或2所述的栅极驱动电路，其特征在于，

所述多个半导体开关元件由宽带隙半导体形成。

5.根据权利要求3所述的栅极驱动电路，其特征在于，

所述多个半导体开关元件由宽带隙半导体形成。