[发明专利]溅射沉积源、具有该溅射沉积源的溅射沉积设备以及将层沉积于基板上的方法

权利要求书

1.一种溅射沉积源(100、200)，包括：

电极阵列(110)，包括两对或更多对电极，其中所述电极阵列(110)的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和

电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极；

其中所述双极脉冲直流电压是以1kHz至100kHz的频率提供的，并且其中所述两对或更多对电极的每对被提供10kW或更大且60kW或更小的功率。

2.如权利要求1所述的溅射沉积源(200)，其中所述电极阵列(110)包括以实质上线性布置提供的四对、六对或更多对电极。

3.如权利要求2所述的溅射沉积源(200)，其中所述电源供应器布置(120)配置为将所述双极脉冲直流电压同步提供至电极对。

4.如权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源，其中所述电源供应器布置(120)配置为将矩形或方波电压提供至所述两对或更多对电极的每对。

5.如权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源，其中所述电源供应器布置(120)配置为分别将对称双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。

6.如权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源，其中每个电极(112)设置有柱状靶材，所述柱状靶材包括待沉积的靶材材料。

7.如权利要求6所述的溅射沉积源，其中所述待沉积的靶材材料为金属、金属合金、半导体、金属-非金属化合物、氧化铟锡、氧化铟镓锌和铝的至少一种。

8.如权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源，其中所述两对或更多对电极的每对经由脉冲单元(122)连接至所述电源供应器布置(120)的直流电源供应器(125)。

9.如权利要求8所述的溅射沉积源，其中所述直流电源供应器(125)配置为提供100V或更大且1000V或更小的最大电压。

10.一种溅射沉积设备(400)，包括：

真空腔室(402)；

根据权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源(100、200)，其中所述溅射沉积源的所述电极阵列(110)布置于所述真空腔室(402)中；和

基板支撑件(406)，布置于所述真空腔室(402)中，且配置为于沉积期间支撑基板(10)。

11.一种利用包括可旋转电极阵列的溅射沉积源将层沉积于基板(10)上的方法，包括：

分别将双极脉冲直流电压提供至所述可旋转电极阵列的两对或更多对电极；

其中所述双极脉冲直流电压是以1kHz至100kHz的频率提供的，并且其中所述两对或更多对电极的每对被提供10kW或更大且60kW或更小的功率。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述两对或更多对电极分别被提供矩形波电压、方波电压和对称双极脉冲直流电压的至少一种。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述双极脉冲直流电压的波形包括负电压部分和正电压部分，其中所述负电压部分在形状和/或振幅上实质上对应于所述正电压部分。

14.如权利要求11所述的方法，其中提供的所述双极脉冲直流电压具有10kHz至80kHz的频率。

15.如权利要求11至13的任一项所述的方法，其中以实质上线性布置提供的四对或更多对电极被同步提供双极脉冲直流电压。

16.如权利要求11至13的任一项所述的方法，其中透明导电氧化物层、氧化铟锡层、氧化铟镓锌层、氧化铟锌层、氧化铝层、二氧化硅层或金属层的至少一种被沉积于所述基板上。