[发明专利]无氰置换镀金液组合物在审

专利信息
申请号: 201680091924.4 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN110114507A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 津田贵大;德久智明;大和田拓央;千田一敬 申请(专利权)人: 关东化学株式会社
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 高一平;徐迅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 碱金属化合物 析出 碱金属 促进剂 无电解镀金液 酒石酸钾钠 无电解镀金 置换镀金液 亚硫酸钾 卤化物 镀金
【说明书】:

本发明提供包含1种或2种以上的碱金属化合物、所述碱金属化合物不是作为碱金属仅含钠的化合物、且所述碱金属化合物不是仅碱金属的卤化物、仅亚硫酸钾、或者仅酒石酸钾钠的用于无电解镀金的金析出促进剂,包含该金析出促进剂的无电解镀金液,使用其的镀金方法和金析出促进方法等。

技术领域

本发明涉及在印刷布线基板等电子工业部件上形成镀金被膜时所使用的金析出促进剂、包含该金析出促进剂的无电解镀金液、和使用该无电解镀金液的镀覆方法及金析出促进方法等。

背景技术

印刷基板在基板上和/或基板内部具有金属电路图案。该电路采用铜等电阻低的金属,还设有用于防止电路的氧化、腐蚀和/或用于防止与金的迁移的阻隔金属层。作为用作阻隔金属层的金属,除镍或镍合金以外,还可使用钯、铂、银、钴及它们的合金。此外,还有为了防止热处理导致的镍扩散而在镍层上形成钯层的技术。这些基底金属层形成后,再以金被膜覆盖而形成完整的电路,但一般金被膜用于防止电路的腐蚀和/或用作触点,孔隙度高的被膜不理想,要求间隙少的表面。

作为镀金方法,已知电解镀金、自催化型无电解镀金、基底催化(表面催化)镀金和置换镀金等。自催化型无电解镀金通过以金为催化剂的还原剂进行金析出。基底催化(表面催化)镀金以基底金属为催化剂通过还原剂进行金析出。置换镀金通过被镀覆面的基底金属与金离子和/或金离子配合物的电置换反应进行金析出。这些镀覆方法可2种以上组合使用。

作为无电解镀金液,报道了多种包含氰化合物作为金源的镀液,但不仅有保管和管理的问题和各种处理时的安全性的问题,还有废液处理费用较高的问题。因此,一直希望开发出不含氰化合物的无电解镀金液。专利文献1中记载了一种使用亚硫酸金钠等水溶性金盐代替氰化合物的包含2种还原剂的无电解镀液,探讨了将一般被用作配合剂的乙二胺四乙酸(EDTA)或酒石酸等氧代羧酸类作为反应促进剂使用。专利文献2中记载了一种同样使用亚硫酸金钠作为金源的无电解镀液,探讨了为了提高金析出速度而使用亚硫酸钾,但如果亚硫酸钾的浓度过大,则镀液不稳定,引发自分解,因此记载了亚硫酸钾的浓度被限制在500mg/L以下。专利文献3中,作为无电解镀金液的金析出促进剂,探讨了释放促进阳极反应的作用强的卤素离子的化合物。专利文献4中,将铊盐等重金属用作金析出促进剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2003-221674号公报

专利文献2:日本专利特许第4758470号公报

专利文献3:日本专利特开2010-209415号公报

专利文献4:日本专利特开2007-308796号公报

发明的概要

发明所要解决的技术问题

以往的将氧代羧酸或亚硫酸钾等配合剂用作反应促进剂的方法寄希望于通过配位离子配位于金属离子的界面配位形成而促进金析出的作用,但配合物根据其添加量,可能会侵蚀基底而造成问题,或者因配合物自身的分解而导致镀液不稳定,诱发镀液的自分解,因此需要控制添加量,而且包含还原剂或稳定剂的情况下,还必须考虑与这些成分的相互作用,难以仅通过配合剂来获得所期望的金析出速度。另一方面,使用铊等重金属的金析出促进剂存在影响环境的问题。

因此,本发明在于提供可容易地使无电解镀金液的金析出速度提高并形成均匀的金被膜的金析出促进剂、包含该金析出促进剂的无电解镀金液、使用其的镀金方法及金析出促进方法等。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明人在探讨不依赖于配合剂的情况下促进金析出的方法的过程中,发现碱金属离子对金析出速度有影响,进一步进行研究,从而完成了本发明。

即,本发明涉及以下所示的发明。

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