[其他]电子设备及其集成式隔磁片

权利要求书

1.集成式隔磁片，其特征在于：所述集成式隔磁片贴设于线路板上，所述线路板的一端面上集成有NFC天线线圈和第一无线充电线圈，且所述NFC天线线圈包围所述第一无线充电线圈；所述集成式隔磁片包括层叠设置的外围磁性材料片和内围磁性材料片，所述集成式隔磁片的厚度范围为0.01～2.00mm；

所述外围磁性材料片导磁且绝缘，完全覆盖所述NFC天线线圈；

所述内围磁性材料片贴设于所述线路板上，且位于所述第一无线充电线圈的最内圈围合成的空腔内。

2.如权利要求1所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述外围磁性材料片的形状与所述NFC天线线圈围合的形状相同，且所述外围磁性材料片的尺寸大于或等于所述NFC天线线圈最外圈的外侧轮廓对应的尺寸；所述内围磁性材料片的尺寸小于或等于所述空腔的尺寸。

3.如权利要求2所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述外围磁性材料片的横截面呈长方形，所述外围磁性材料片的长度大于或等于所述NFC天线线圈最外圈的外侧轮廓的长度，所述外围磁性材料片的宽度大于或等于所述NFC天线线圈最外圈的外侧轮廓的宽度。

4.如权利要求1所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述外围磁性材料片包括至少一层第一磁性材料层，各所述第一磁性材料层层叠设置，且所述外围磁性材料片的总厚度范围为0.01～2.00mm。

5.如权利要求1所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述外围磁性材料片的一侧面或两侧面上贴设有绝缘的第一高分子保护膜，所述第一高分子保护膜的厚度范围为0.001～0.50mm。

6.如权利要求1所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述内围磁性材料片的一侧面或两侧面上贴设有第二高分子保护膜，所述第二高分子保护膜的厚度范围为0.001～0.50mm。

7.如权利要求1所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述内围磁性材料片的厚度范围为0.01～2.00mm。

8.如权利要求1至7任一项所述的集成式隔磁片，其特征在于：所述线路板上还集成有至少一个第二无线充电线圈，各所述第二无线充电线圈之间依次层层包围，且均位于所述NFC天线线圈和第一无线充电线圈之间；所述集成式隔磁片还包括至少一层中间磁性材料片，各所述中间磁性材料片、外围磁性材料片和内围磁性材料片依次层叠设置；各所述中间磁性材料片完全覆盖对应的所述第二无线充电线圈。

9.如权利要求8所述的集成式隔磁片，其特征在于：各所述中间磁性材料片的形状与对应的所述第二无线充电线圈围合成的形状相同；各所述中间磁性材料片的尺寸小于或等于相邻的位于外围的线圈最内圈的内侧轮廓的尺寸，且大于或等于相邻的位于内围的线圈最外圈的外侧轮廓的尺寸；所述中间磁性材料片的厚度范围为0.01～2.00mm。

10.如权利要求9所述的集成式隔磁片，其特征在于：各所述中间磁性材料片的横截面呈长方形，各所述中间磁性材料片的长度大于或等于对应的所述第二无线充电线圈最外圈的外侧轮廓的长度，各所述中间磁性材料片的宽度大于或等于对应的所述第二无线充电线圈最外圈的外侧轮廓的宽度。

11.如权利要求8所述的集成式隔磁片，其特征在于：各所述中间磁性材料片的一侧面或两侧面上贴设有第三高分子保护膜，所述第三高分子保护膜的厚度范围为0.001～0.50mm。

12.电子设备，包括线路板和集成于所述线路板上的NFC天线线圈和第一无线充电线圈，其特征在于：还包括如权利要求1至11任一项所述的集成式隔磁片，所述内围磁性材料片贴设于所述线路板上。