[发明专利]高电压场效应晶体管

权利要求书

1.一种垂直晶体管，包括第一垂直晶体管或第二垂直晶体管，

其中，所述第一垂直晶体管包括：

圆柱形漏极区，所述圆柱形漏极区位于衬底的最高表面上并与所述衬底的所述最高表面直接接触，所述圆柱形漏极区具有中心，所述中心具有与所述衬底的所述最高表面正交的轴；

圆柱形非本征漏极区，所述圆柱形非本征漏极区位于所述圆柱形漏极区之上，所述圆柱形非本征漏极区具有与所述轴同轴的中心；

圆柱形沟道区，所述圆柱形沟道区位于所述圆柱形非本征漏极区之上，所述圆柱形沟道区具有与所述轴同轴的中心；

圆柱形源极区，所述圆柱形源极区位于所述圆柱形沟道区之上，所述圆柱形源极区具有与所述轴同轴的中心；

包括栅极绝缘体和栅极导体的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体被同轴地完全环绕所述圆柱形沟道区，但不环绕所述圆柱形非本征漏极区；

漏极接触部，所述漏极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形漏极区；以及

源极接触部，所述源极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形源极区的至少一部分，

其中，所述第二垂直晶体管包括：

圆柱形源极区，所述圆柱形源极区位于衬底的最高表面上并与所述衬底的所述最高表面直接接触，所述圆柱形源极区具有中心，所述中心具有与所述衬底的所述最高表面正交的轴；

圆柱形沟道区，所述圆柱形沟道区位于所述圆柱形源极区之上，所述圆柱形沟道区具有与所述轴同轴的中心；

圆柱形非本征漏极区，所述圆柱形非本征漏极区位于所述圆柱形沟道区之上，所述圆柱形非本征漏极区具有与所述轴同轴的中心；

圆柱形漏极区，所述圆柱形漏极区位于所述圆柱形非本征漏极区之上，所述圆柱形漏极区具有与所述轴同轴的中心；

包括栅极绝缘体和栅极导体的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体被同轴地完全环绕所述圆柱形沟道区，但不环绕所述圆柱形非本征漏极区；

源极接触部，所述源极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形源极区；以及

漏极接触部，所述漏极接触部被同轴地完全环绕所述圆柱形漏极区的至少一部分，其中所述圆柱形非本征漏极区的带隙比所述圆柱形沟道区的带隙大。

2.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其中所述源极接触部与所述圆柱形沟道区间隔第一长度，并且其中所述漏极接触部与所述圆柱形沟道区间隔第二长度，所述第二长度大于所述第一长度。

3.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其中所述圆柱形漏极区、所述圆柱形沟道区和所述圆柱形源极区包括第一半导体材料，并且所述圆柱形非本征漏极区包括第二半导体材料，所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料。

4.根据权利要求3所述的垂直晶体管，其中所述第一半导体材料是InN，并且所述第二半导体材料是GaN。

5.根据权利要求3所述的垂直晶体管，其中所述第一半导体材料是GaAs，并且所述第二半导体材料是AlGaAs。

6.根据权利要求3所述的垂直晶体管，其中所述第一半导体材料是InAs，并且所述第二半导体材料是InAlAs。

7.根据权利要求3所述的垂直晶体管，其中所述第一半导体材料是Ge，并且所述第二半导体材料是Si。