[发明专利]圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于纳米科学与技术领域、显示技术领域、光电子科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域以及真空科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种优秀的冷阴极材料，并已被成功应用于场发射平面显示器中。在显示器的内部真空环境中，碳纳米管能够在外加电场强度的作用下进行大量电子发射，从而形成场发射显示器所必需的工作电流。随着丝网印刷工艺的引入，制作大面积碳纳米管层已经变得很容易；制约着碳纳米管阴极制备工艺的解决，极大促进了场发射平面显示器的研究进展。当然，丝网印刷工艺同时也已被大量应用于场发射显示器的其它结构制作。在三极结构的场发射显示器中，门极被添加于阳极和碳纳米管阴极之间；门极和碳纳米管阴极之间的距离很小，但门极和阳极之间的距离却很大。因而，在三极结构的场发射显示器中，也存在着一些技术困难需要得以解决。例如，其一，碳纳米管制作面积问题。小的碳纳米管层面积，也就意味着碳纳米管的数量不会很多；没有足够数量的碳纳米管同时进行场电子发射，也就无法达到场发射显示器所需要的正常阳极电流，当然场发射显示器就不能正常进行高质量图像显示。这和碳纳米管阴极的制作结构、碳纳米管层的制作工艺、碳纳米管层的后处理工序等都有关系。其二，碳纳米管阴极和门极的集成化制作问题。碳纳米管层是一个很薄的材料层，同时也非常容易受到其它制作工艺的污染和损坏。因而需要将碳纳米管阴极和门极进行集成化制作，以期能够尽最大可能的对碳纳米管层加以保护。一旦碳纳米管层被损伤，前续已制作的其它工序可能就变无效了。其三，门极制作问题。门极结构过于复杂，不仅无法达到大规模生产的最低要求，还极大降低了场发射发光显示器的成品率；同时，门极对碳纳米管阴极进行场电子发射的能力很弱，这些问题都削弱了门极结构原本存在的意义。此外，场发射发光显示器的制作成本很高，并不利于其进军显示市场。这些问题的存在，都需要认真思考和探索、研究。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种发光灰度可调节性能优异的、制作工艺可靠的、发光亮度高的、响应时间短的带有圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器，包括由上闭拢玻璃硬板、下闭拢玻璃硬板和透明玻璃框所构成的真空室；在上闭拢玻璃硬板上有阳极方膜氧化物层、与阳极方膜氧化物层相连的阳极厚膜延展层以及制备在阳极方膜氧化物层上面的荧光粉层；在下闭拢玻璃硬板上有圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构；位于真空室内的消气剂和孤立支撑柱附属元件。