[发明专利]高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于真空科学与技术领域、显示技术领域、纳米科学与技术领域、微电子科学与技术领域、光电子科学与技术领域以及集成电路科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。

背景技术

在场发射发光显示器中，碳纳米管已经被成功制作成了高效的冷阴极。只要在碳纳米管表面形成足够强大的电场强度，就能够迫使碳纳米管发射大量电子，从而形成发光显示器的电流来源，因此，碳纳米管就是电子源。在制作工艺方面，由于丝网印刷工艺的引入，使得制作大面积的碳纳米管阴极层、以及制作特定图案的碳纳米管阴极，都变得很容易实现，这也是对碳纳米管阴极场发射发光显示器的研究取得飞速进展的一个有利促进因素。在三极结构的场发射发光显示器中，门极位于阳极、阴极二者之间。由于有了阳极、阴极和门极三种电极，故而称之为三极结构的场发射发光显示器。

然而在三极结构的发光显示器中，还有很多技术方面的困难有待于克服。诸如，第一，门极的低效率高损耗调控问题。在三极结构发光显示器中，门极对碳纳米管是否发射电子以及发射电子数量的多少，起到了决定性的控制作用。但是，由于制作结构的不合理，导致门极工作电压过高，这无形中就增加了发光显示器的功率损耗；过高的门极工作电压，还极其容易引发阴极-门极之间电学击穿现象的发生，造成发光显示器的永久性损坏。另外，门极对碳纳米管电子发射的调控能力非常低下，很多碳纳米管是否进行电子发射，并不完全受到门极工作电压的控制。第二，大面积碳纳米管层的制作问题。很显然，没有足够的碳纳米管进行电子发射，是无法形成较大的阳极工作电流的，因此，需要进行大面积碳纳米管层的制作。但是，过大的碳纳米管层，占用了发光显示器中有限的阴极板面积，会导致发光显示器的单个显示像素过大，降低发光显示器的显示分辨率。第三，碳纳米管的电子发射能力问题。在碳纳米管层中，有很多碳纳米管是不发射电子的，这也就是所谓的无效电子源层。无效电子源层的存在，不仅挤压并浪费了有限的阴极板面积，还降低了发光显示器的制作成功率。因而要尽可能除掉无效电子源层的存在，让尽可能多的碳纳米管都参与到场电子发射中来。这些存在的技术难题，还需要进行大量研究，直至最终加以解决。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种制作结构简单的、制作工艺稳定可靠的、制作过程易于实现的、发光亮度高的带有高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构的发光显示器，包括由上透明硬抗压板、下透明硬抗压板和四周玻璃框所构成的真空室；在上透明硬抗压板上有阳极低阻膜电极层、与阳极低阻膜电极层相连的阳极银传递线层以及制备在阳极低阻膜电极层上面的荧光粉层；在下透明硬抗压板上有高低平弧聚合独门控斜置闭合曲面环边缘阴极结构；位于真空室内的消气剂和分立绝缘柱附属元件。