[发明专利]双前平后曲正圆独门控错落二棱尖边阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于纳米科学与技术领域、显示技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的场发射发光显示器的制作，特别涉及到双前平后曲正圆独门控错落二棱尖边阴极结构的发光显示器。

背景技术

碳纳米管是一种特殊的半导体材料，只要施加给碳纳米管的外电场强度达到一定数值后，碳纳米管就能在真空环境下源源不断的发射电子。正是由于这一特性，碳纳米管已经被成功应用于场发射发光显示器的冷阴极材料。当然，随着碳纳米管的引入，也极大加速了场发射发光显示器的研究进程。目前，关于碳纳米管作为冷阴极的制作工艺、制作结构、制作工序等方面都已展开，并取得了阶段性的成果。随着丝网印刷工艺的引入，制作大面积的碳纳米管阴极已经成为了可能，同时，制作特定图案的碳纳米管阴极也已能够成功制作，这使得碳纳米管阴极研究方面向前有了突破性成果。在三极结构的场发射发光显示器中，门极被制作在了碳纳米管阴极和阳极二者之间。

当然，在三极结构的碳纳米管阴极场发射发光显示器中，还存在着许多技术难题需要解决。例如，其一，碳纳米管阴极的电子发射问题。一方面，碳纳米管层的制作面积还不是足够大。可以想象，没有足够数量的碳纳米管进行电子发射，发光显示器是无法获得足够阳极工作电流的。只有碳纳米管层的制作面积变大了，才能够允许足够数量的碳纳米管都参与场电子发射。但是，碳纳米管层的制作面积也不能过大，否则将导致发光显示器的显示分辨率下降。另一方面，在碳纳米管层中，并不是所有碳纳米管都参与了场电子发射，有的碳纳米管能够发射大量电子，有的碳纳米管只能发射少量电子，甚至还有的碳纳米管根本就没有发射电子，这和碳纳米管阴极的制作工艺、制作结构等都有关系，还需要进行大量研究探索。其二，门极控制能力问题。设置门极的本质就是用于控制碳纳米管层的电子发射的，但是目前发光显示器中的门极控制能力都较弱。典型技术指标就是门极工作电压很高、门极电流过大。在提高和改善门极控制能力方面，需要从门极结构、门极的制作工艺、门极的制作材料等各方面都加以改进，这还需要进行探索。其三，发光显示器的制作成本问题。一个成功的显示器，应该朝向低成本、高质量方向发展。若发光显示器的制作成本过高，是无法适应目前显示市场的准入要求的。这些技术难题的存在，还需要研发并努力加以解决。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种制作工艺稳定的、制作过程易于完成的、发光亮度高的、发光灰度可调节性能优良的带有双前平后曲正圆独门控错落二棱尖边阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的双前平后曲正圆独门控错落二棱尖边阴极结构的发光显示器，包括由上硬质抗压平板、下硬质抗压平板和透明玻璃框所构成的真空室；在上硬质抗压平板上有阳极透光导电膜层、与阳极透光导电膜层相连的阳极宽银线层以及制备在阳极透光导电膜层上面的荧光粉层；在下硬质抗压平板上有双前平后曲正圆独门控错落二棱尖边阴极结构；位于真空室内的消气剂和圆支撑柱附属元件。