[发明专利]小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于纳米科学与技术领域、显示技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落面阴极结构的发光显示器。

背景技术

碳纳米管是一种具有独特属性的半导体材料，且已经被成功制作成了场发射发光显示器的冷阴极。仅依靠外界强大电场强度的作用，碳纳米管就能够发射出大量电子，这也就形成了场发射发光显示器的工作电流。碳纳米管材料在制作工艺、制作设备等方面取得了长足的进展，这也使得场发射发光显示器的研究得到了极大加速。在三极结构的场发射发光显示器中，只是在阳极和阴极之间添加了一个门极，从而形成了具有三个电极的显示器。由于门极和阴极之间的距离很近，故而较小的门极电压就能够达到碳纳米管进行场电子发射所需的电场强度，这样就大幅度降低了场发射发光显示器的工作电压，也减小了场发射发光显示器的功率损耗。但是，正是由于门极结构的加入，使得场发射发光显示器的制作变得有些复杂，也存在着很多技术难题急需解决。例如，第一，阴极-门极的集成化制作。由于阴极和门极的距离非常近，故而这两种结构在制作过程中，其制作工艺会相互产生影响；略有不慎，就有可能导致碳纳米管阴极无法设法电子，这也就使得场发射发光显示器彻底失效。目前的阴极-门极结构分别制作，该制作模式的缺陷是显而易见的。第二，碳纳米管层的制作问题。由于碳纳米管层的不良结构，导致在门极电压的作用下，根本就无法形成碳纳米管进行场电子发射所必需的临界值，自然而然也就不会有场发射发光显示器电流了；由于碳纳米管层的不良制作，导致并不是所有的碳纳米管都在进行场电子发射，有的碳纳米管所发射的电子数量很少，更有的碳纳米管根本就没有进行场电子发射；由于碳纳米管层的制备面积很小，导致没有足够数量的碳纳米管进行场电子发射，也就无法形成大的场发射发光显示器的工作电流。第三，门极结构问题。当施加上门极电压后，碳纳米管层无法进行电子发射，或者碳纳米管所发射电子的数量并不随门极工作电压的变化而变化，这说明门极结构是不是很合适的。另外，在场发射发光显示器的制作过程中，应想尽办法降低场发射发光显示器的制作费用。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种制作工艺可靠的、发光灰度可调节性能优异的、阳极电流大的、发光亮度高的带有小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落面阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器，包括由上抗压平严闭板、下抗压平严闭板和透明玻璃框所构成的真空室；在上抗压平严闭板上有阳极低阻高透光膜层、与阳极低阻高透光膜层相连的阳极扩张银条层以及制备在阳极低阻高透光膜层上面的荧光粉层；在下抗压平严闭板上有小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落面阴极结构；位于真空室内的消气剂和矩形黑壁附属元件。