[发明专利]同倾斜度四凹面银门控高低双上凸弧面阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、显示技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种同倾斜度四凹面银门控高低双上凸弧面阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。

背景技术

场发射发光显示器是一种具有诸如显示图像质量高、响应时间短、超薄性、大面化、平板化等特性的显示设备，能够显示各种静态和动态图像。场发射发光显示器的内部电流来源于碳纳米管所发射的大量电子；仅仅依赖于外界电压所形成的电场强度，碳纳米管就能够源源不断的为场发射发光显示器提供电子。在三极结构的场发射发光显示器中，由于门极和阴极的距离较近，故而很低的门极电压就能够形成碳纳米管进行场电子发射所必需的电场强度。故而，为了减小场发射发光显示器的功率损耗以及驱动电路的成本，添加门极结构是必须的；但是，随着门极结构的添加，无论是场发射发光显示器的制作工艺，还是场发射发光显示器的制作结构，都变得复杂起来，有着大量的技术难题需要解决。例如，其一，阴极-门极的集成化制作问题。在制作门极结构的时候，会对碳纳米管阴极造成一定的伤害；而在制作阴极结构的时候，还必须要考虑门极制作，否则很容易无法形成碳纳米管进行电子发射所需的电场强度。换句话说，门极结构和阴极结构的制作，是要相互影响的。其二，碳纳米管层的问题。若碳纳米管层的制作面积很小，那么就没有足够数量的碳纳米管进行电子发射，场发射发光显示器是无法形成正常工作所必需的电流的；在碳纳米管层中，有着很多的碳纳米管，或者被埋没，或者被堵塞，是不能发射电子的，这也就使得整体碳纳米管层的电子发射效率大打折扣。其三，门极控制性能问题。当在门极施加上电压后，碳纳米管所发射的电子数量很少；再次加大门极电压后，碳纳米管发射电子的数量并不随之改变。这就表明，门极对碳纳米管层的调控能力很弱，这和门极结构、门极制作工艺、阴极结构等因素都有关联。另外，在场发射发光显示器的制作过程中，其制作费用居高不下，制约了场发射发光显示器走向实际产品市场。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种发光灰度可调节性能优异的、响应时间短的、发光亮度高的、制作工艺可靠的带有同倾斜度四凹面银门控高低双上凸弧面阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的同倾斜度四凹面银门控高低双上凸弧面阴极结构的发光显示器，包括由上扁平抗压硬板、下扁平抗压硬板和透明玻璃框所构成的真空室；在上扁平抗压硬板上有阳极氧化物方块层、与阳极氧化物方块层相连的阳极宽拉长银层以及制备在阳极氧化物方块层上面的荧光粉层；在下扁平抗压硬板上有同倾斜度四凹面银门控高低双上凸弧面阴极结构；位于真空室内的消气剂和分散支柱附属元件。