[发明专利]内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域、纳米科学与技术领域、真空科学与技术领域、光电子科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及微电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种具有独特性质的半导体材料，已被应用于场发射发光显示器中。作为一种冷阴极电子源，碳纳米管是非常胜任的，诸如：鉴于它的耐高温特性，能够极大避免“阴极高温烧毁”现象的出现；鉴于它的场发射特性，能够仅依赖于外加电场就能够为场发射发光显示器源源不断的提供阴极电子；鉴于丝网印刷工艺的成功引入，使得制作大面积的图案形阴极业已变得很容易。在三极结构的场发射发光显示器中，门极结构被成功引入到阳极和阴极之间。由于门极和碳纳米管阴极的有效距离很近，这在能够使得碳纳米管正常发射电子的同时，还能够极大降低场发射发光显示器的功率损耗，同时还能够减小电路驱动成本。但是，在带来上述有利之处的同时，我们也清楚的看到，正是由于门极结构的引入，使得场发射发光显示器的结构和制作变得有些复杂。在三极结构的场发射发光显示器中，也具有很多的技术难题需要解决。例如，第一，门极的调控性能问题。当在门极上施加适当电压后，碳纳米管并不能进行场电子发射；或者，当门极上施加较高电压后，虽然碳纳米管能够发射电子，但碳纳米管发射电子数量的多少并不受门极电压大小的调制；在施加过高门极电压后，会导致门极-阴极二者电学击穿现象的出现。这些情形都表明，门极对碳纳米管层的调控能力很弱。第二，碳纳米管阴极-门极二者的集成制作问题。由于二者的有效距离很小，故而门极结构的制作和碳纳米管阴极结构的制作是相互影响、并相互制约的；碳纳米管层很薄，也很易于受到污染；一个受损伤的碳纳米管冷阴极，是无法承担起为场发射发光显示器提供大量电子的重任的。第三，碳纳米管的电子发射效率问题。在碳纳米管层中，并不是所有的碳纳米管都能够大量发射电子的，有些碳纳米管所发射电子的数量很少，更有部分碳纳米管根本就无法参与场发射，从而导致碳纳米管的电子发射效率很低。这需要从碳纳米层的制作工艺、制作面积、制作结构等多方面加以研究。另外，在场发射发光显示器的制作过程中，不能过于增加场发射发光显示器的制作费用，否则，所研发的场发射发光显示器是无法适应显示技术市场产品的实际要求的。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种响应时间短的、制作工艺稳定的、发光灰度可调节性能优异的、发光亮度高的、制作成本低廉的带有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器，包括由上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板和透明玻璃框所构成的真空室；在上抗压平玻合并板上有阳极氧化物低阻层、与阳极氧化物低阻层相连的阳极扩张宽厚膜层以及制备在阳极氧化物低阻层上面的荧光粉层；在下抗压平玻合并板上有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构；位于真空室内的消气剂和黑撑持墙附属元件。