[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

随着TFT技术的发展，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)制程Mask(光罩)需求从5/6Mask降到现在主流的4Mask，成本大大降低。每减少一道Mask，机器物料时间成本都会下降较多，大大提高产品竞争力。3Mask TFT因其节约一道Mask，较大幅度降低成本，相关技术较热门。

目前3Mask TFT技术大部分是通过把PV(钝化)层与Pixel(像素)ITO(氧化铟锡)层在一道Mask内完成，但所遇到PR(光阻)上的ITO剥离问题。通常PR上沉积Pixel ITO后剥离时间较长，影响生产节拍时间，以及PR剥离残留和毛边问题都会严重影响制程或产品性能。另外，目前所用的PR/PV低切方法必须经过PV层刻蚀才能形成，因此ITO与PV层出现较大的表面台阶，影响产品特性。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进的TFT基板的制作方法。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

在基板上沉积第一金属层，利用第一道光罩工艺形成TFT栅极；

在该基板上依次沉积第一绝缘层、有源层和第二金属层，利用第二道光罩工艺使得第二金属层在有源层的两端分别形成源极和漏极；

在该基板上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成光阻层，利用第三道光罩对光阻层图形化处理，形成具有第一厚度的第一光阻层和具有第二厚度的第二光阻层，第二厚度大于第一厚度，第一光阻层与第二光阻层间隔设置形成间隔区，在间隔区的第二绝缘层上形成一漏极通孔；

去除第一光阻层，对第二光阻层进行制绒处理，从而在第二光阻层表面形成绒面；

在该基板上沉积像素电极层，采用湿法刻蚀在第二光阻层绒面未被像素电极层覆盖的表面渗入剥离液，将第二光阻层以及第二光阻层上覆盖的像素电极层去除，从而形成像素电极，该像素电极通过漏极通孔与漏极相连。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，在间隔区的第二绝缘层上形成一漏极通孔的步骤包括：

采用干法刻蚀在间隔区的第二绝缘层上形成一漏极通孔

本发明所述的TFT基板的制作方法中，去除第一光阻层的步骤包括：

采用光阻灰化方式使得第一光阻层脱落。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，对第二光阻层进行制绒处理的步骤包括：

采用干法刻蚀对第二光阻层进行制绒处理。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，在光阻表面形成的绒面为纳米柱，纳米柱在光阻平面上高度可为10A～10000A，纳米柱之间距离可以10A～20000A。

本发明所述的TFT基板的制作方法中，光阻制绒采用的气体为Ar、O3、He、SF6、CF4、C4F8气体中的单种或混合气体，刻蚀气压可为5mT～10000mT。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，在该基板上依次沉积第一绝缘层、有源层和第二金属层的步骤包括：

采用化学气相沉积法在基板上依次沉积第一绝缘层、有源层和第二金属层。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，像素电极层为ITO。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，第二道光罩为半色调光罩或灰色调光罩。

在本发明所述的TFT基板的制作方法中，有源层为A-Si。