[发明专利]一种电容短路失效的定位检测方法

权利要求书

1.一种电容短路失效的定位检测方法，其特征在于，包括：

检测并获取失效电容两端的初始电阻；

对失效电容进行无损检测，判断失效电容的内部是否存在缺陷；若存在缺陷，则存储检测图像并记录缺陷的形态和位置；

采用金相制样方式制备得到失效电容的金相样品；

采用磨抛方式对失效电容的金相样品进行磨抛，并在磨抛过程中定时观察剖面状态，判断剖面中是否存在与无损检测的检测图像中对应的缺陷；若是，则停止磨抛，否则继续磨抛直到找到与无损检测的检测图像中对应的缺陷；

检测并获取金相样品两端电极之间的结果阻值，判断所述结果阻值相对于初始阻值的变化率是否超过预设的变化率阈值，若阻值变化率超过预设的变化率阈值，则此时发现的缺陷即为引起电容失效的缺陷；若阻值变化率没有超过预设的变化率阈值，则返回磨抛过程继续磨抛，直到找到引起电容失效的缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断失效电容的内部是否存在缺陷的步骤还包括：若不存在缺陷，则直接采用金相制样方式以及采用磨抛方式对失效电容进行检测；不断重复磨抛过程，直到发现剖面异常点。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在磨抛过程中定时观察剖面状态，判断剖面中是否存在与无损检测的检测图像中对应的缺陷的步骤还包括：

在磨抛过程中定时对失效电容进行无损检测，获取新的无损检测图像。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用磨抛方式对失效电容的金相样品进行磨抛的步骤还包括：

根据失效电容的不同尺寸，按照预设的电容尺寸与磨抛砂纸的对应关系列表，采用对应的磨抛砂纸进行磨抛。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，磨抛砂纸采用1500号及以上型号，且采用显微镜观察剖面状态。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对失效电容进行无损检测的步骤还包括：采用X射线检测设备和声学扫描显微镜中的一种或两种无损检测方式对失效电容进行无损检测。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述采用X射线检测设备对失效电容进行无损检测还包括对失效电容的X方向和Y方向的检测，用于检测失效电容内部以及端电极是否存在裂纹、空洞缺陷。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述声学扫描显微镜用于检测失效电容内部是否存在裂纹或分层缺陷。