[发明专利]形成非晶硅多层结构的方法有效
| 申请号： | 201710002081.2 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108269732B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;刘玮鑫;陈意维;张景翔;李瑞珉;张家隆;吴姿锦;邹世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 非晶硅 多层 结构 方法 | ||
1.一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有：
提供一基底材料层，该基底材料层为含氮材料层；
形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中，且该氢原子部分进入该含氮材料层；
对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；以及
形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一非晶硅层的厚度小于300埃。
3.如权利要求1所述的方法，还包含形成一掩模层于该第二非晶硅层上。
4.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一同位(in situ)紫外线固化步骤。
5.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一异位(ex situ)紫外线固化步骤。
6.如权利要求1所述的方法，该基底材料层包含有氮化硅或是氮碳化硅。
7.如权利要求1所述的方法，还包含形成多层非晶硅层，位于该第二非晶硅层上。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第二非晶硅层具有一平坦表面。
9.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的温度介于摄氏300-600度。
10.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的压力小于10托耳。
11.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的时间小于5分钟。
12.如权利要求1所述的方法，其中该第一非晶硅层以及该第二非晶硅层是通过一等离子体辅助化学气相沉积步骤(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)的方式形成。
13.如权利要求12所述的方法，其中该PECVD的沉积气体包含有甲硅烷(SiH4)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
