[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710002492.1 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783886B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 曹中林;刘庭良;臧鹏程;黄炜赟;王杨;李挺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可避免薄膜晶体管弯曲时,有源层对应的区域发生应力断裂,而导致的显示不良。该薄膜晶体管包括一个开关单元或串联在一起的多个开关单元;每个所述开关单元包括:一栅极、与所述栅极分别具有重叠区域的多个相互独立的子有源层,多组源极和漏极,每组源极和漏极与一个所述子有源层接触;其中,位于所述薄膜晶体管一端的多个源极之间电连接,位于所述薄膜晶体管另一端的多个漏极之间电连接。用于薄膜晶体管的制作。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
背景技术
目前,在液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)、有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)以及无机电致发光显示装置等显示装置中,常常会利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)来控制每个像素的通断状态。
如图1所示,每个薄膜晶体管包括源极10、漏极20、形成在源极10和漏极20之间的沟道区的有源层30以及栅极40。然而,沟道区常常面临在应力的作用下发生损坏的风险,特别是柔性显示装置,例如柔性电子纸,在弯曲时,薄膜晶体管的有源层30对应的区域容易发生应力断裂,这种断裂可能导致信号无法传输至像素电极,从而导致显示不良,使显示画面出现暗点。
发明内容
本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,可避免薄膜晶体管弯曲时,有源层对应的区域发生应力断裂,而导致的显示不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种薄膜晶体管,包括一个开关单元或串联在一起的多个开关单元;每个所述开关单元包括:一栅极、与所述栅极分别具有重叠区域的多个相互独立的子有源层,多组源极和漏极,每组源极和漏极与一个所述子有源层接触;其中,位于所述薄膜晶体管一端的多个源极之间电连接,位于所述薄膜晶体管另一端的多个漏极之间电连接。
优选的,同一所述开关单元中的多个所述源极为相互独立的多个图案,位于所述薄膜晶体管一端的多个所述源极与同一数据线连接;和/或,同一所述开关单元中的多个所述漏极为相互独立的多个图案,位于所述薄膜晶体管另一端多个所述漏极与同一像素电极连接。
优选的,同一所述开关单元中的多个所述源极连接成一个条状图案;和/或,同一所述开关单元中的多个漏极连接成一个条状图案。
优选的,所述薄膜晶体管包括多个所述开关单元时,所述薄膜晶体管还包括连接电极,用于连接相邻的两个所述开关单元。
可选的,所述连接电极包括多个镂空区域。
进一步可选的,所述镂空区域设置在相邻两个子有源层之间,所述两个子有源层分别位于不同的所述开关单元中。
可选的,所述连接电极包括多个相互独立的子连接电极;一个所述开关单元中的源极通过所述子连接电极与相邻所述开关单元中的漏极相连接。
优选的,所述连接电极、所述源极以及所述漏极同层同材料。
第二方面,提供一种阵列基板,包括多条栅线和多条数据线,以及由所述多条栅线和所述多条数据线限定的多个像素区域,每个所述像素区域包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管为上述的薄膜晶体管;位于所述薄膜晶体管一端的源极与所述数据线连接,位于所述薄膜晶体管另一端的漏极与所述像素电极连接。
第三方面,提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的