[发明专利]一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板

说明书

技术领域

本发明涉及触控显示基板技术领域，尤其涉及一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板。

背景技术

目前，对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)触控屏来讲，主要是采用外挂式实现触控，通常采用打印或者黄光工艺制作触控电极，并将触控电极制作在像素与像素之间的非开口区域。由于打印或者黄光工艺所制作的触控电极只能做到微米量级，因而对于OLED高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)很难保证触控电极完全设置在非开口区域。例如，目前的打印工艺可以实现的最小线宽在30um左右，线间距至少在20um以上，而且打印的位置精度偏差比较大，至少有数个微米，这样打印出来的金属会偏移到显示像素中，影响画质，且触控屏的良率较低。

综上所述，目前由于OLED触控屏的分辨率要求越来越高，采用打印或者黄光工艺制作的触控电极的线宽只能达到微米量级，很难满足高PPI的要求。

发明内容

本发明实施例提供的一种触控显示基板的制作方法及触控显示基板，用以解决目前由于OLED触控屏的分辨率要求越来越高，采用打印或者黄光工艺制作的触控电极的线宽只能达到微米量级，很难满足高PPI的要求的问题。

本发明实施例提供的一种触控显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上依次制作有机发光二极管OLED器件的各个功能膜层，得到OLED基板；

采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极。

较佳的，采用电子溅射和转印的方式，在所述OLED基板上制作纳米级线宽的线状触控电极，包括：

采用电子溅射方式，在具有纳米级金属线图形的载体上溅镀金属导电材料，以使所述金属线上形成纳米级线宽的金属导电材料；

采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，以使所述OLED基板形成纳米级线宽的线状触控电极。

较佳的，采用下列方式制作具有纳米级金属线图形的载体：

采用电子束曝光的方式，在载体的主体上制作至少一条纳米级金属线。

较佳的，采用转印的方式，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上之前，还包括：

将所述载体上形成的纳米级线宽的金属导电材料，与所述OLED基板进行对位。

较佳的，所述对位的方式包括粗略对位和精确对位；其中，

所述粗略对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED基板的显示区域进行对准；

所述精确对位是将所有纳米级线宽的金属导电材料分别与所述显示区域中的非开口区域进行对准。

较佳的，将所述金属线上形成的纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上，包括：

将所述纳米级线宽的金属导电材料与所述OLED基板在预设条件下进行接触，以使所述纳米级线宽的金属导电材料与所述载体上的金属线分离，且将所述纳米级线宽的金属导电材料转印到所述OLED基板上。

较佳的，所述预设条件包括但不仅限于下列条件中的一种或者多种：

施加外力，施加电压，光照，或者加热。

本发明实施例提供的一种采用本发明实施例提供的上述方法制作的触控显示基板，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的OLED器件，以及设置在所述OLED器件上、且为纳米级线宽的线状触控电极；其中，

所述触控电极均设置在所述触控显示基板的显示区域。

较佳的，所述触控电极的线宽均不大于190nm。

较佳的，所述OLED器件包括：有机发光层；

所述触控电极在所述衬底基板上的正投影，与所述有机发光层图形在所述衬底基板上的正投影部分重叠；或，

所述触控电极均设置在所述显示区域中的非开口区域。

较佳的，所述触控电极的结构为单层自容结构，单层互容结构，或双层互容结构。

较佳的，所述触控电极为指纹电极。

较佳的，所述触控电极的材料为透明材料。

较佳的，所述触控电极的材料为下列材料中的一种或多种：

碳纳米管导电粒子，纳米银，以及石墨烯。

较佳的，所述触控显示基板为内嵌式触控显示基板，或外挂式触控显示基板。

本发明的有益效果：