[发明专利]高压瓷绝缘半导体釉

说明书

本发明涉及半导体釉技术领域，具体涉及高压瓷绝缘半导体釉，半导体釉含有如下质量配比的组分：高钾低铁长石25～35份，坯泥8～14份，东胜土4～10份，锻滑石1～4份，石英粉20～30份，碳酸钡2～4份，氧化铁红12～18份，氧化铬绿1～3份，二氧化钛9～12份，锂辉石1～2份。本发明半导体釉的结构稳定性高，表面细腻，表面有光泽，且降低共熔点，提高熔解效率；同时，采用东胜土和坯泥，提高半导体釉浆的上釉后的结合能力。

技术领域

本发明涉及半导体釉技术领域，尤其是高压瓷绝缘半导体釉。

背景技术

半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。半导体釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。

半导体釉的导电性能主要取决于釉中半导体晶相的导电特性，半导体晶相较高时，釉表面的光泽与釉的化学稳定性变差，釉表面灰暗无光泽，有粗糙感，由于晶相较多，通常热膨胀系数也较高，难以配制压缩釉，不能很好的与瓷体匹配，是半导体釉材料研制的关键。

为此，中国专利公告号为CN102531705B的一种大爬距低局放变压器瓷套用半导体釉及其施釉工艺中公开了，将几种半导体金属氧化物按一定的比例加入到基础釉中，具体为，TiO 23-5％、Fe2O3 18-20％、Cr2O3 2-4％的配方。通过上述的三种氧化物的加入，改善釉的导电性能，改良釉的熔融性质，降低热膨胀系数并与普通釉相匹配，达到提高机械强度的目的，同时釉面光洁，具有抗老化能力，使用寿命长等特点。

然而，该方案存在以下问题：1、该配方中三氧化二铁的含量过高，会导致形成的半导体釉的内容结构疏松，结构稳定性不高，且半导体釉的光洁度不够，比较暗淡，半导体釉表面比较粗糙；2、一般采用含有钾或者钠离子的化合物作为熔剂，由于钾或者钠元素的原子量较小，化学性能比较活泼，稳定性较差；3、该配方的三种氧化物加入基础釉中，其共熔点较高，导致熔解效率降低；4、现在多采用左云土，半导体釉的上釉结合能力较差。

发明内容

本发明的目的在于提供高压瓷绝缘半导体釉，使得半导体釉的结构稳定性高，表面细腻，表面有光泽，且降低共熔点，提高熔解效率；同时，采用东胜土和坯泥，提高半导体釉浆的上釉后的结合能力。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：高压瓷绝缘半导体釉，半导体釉包括按照质量份数的如下组分：高钾低铁长石25～35份，坯泥8～14份，东胜土4～10份，锻滑石1～4份，石英粉20～30份，碳酸钡2～4份，氧化铁红12～18份，氧化铬绿1～3份，二氧化钛9～12份，锂辉石1～2份。

有益效果：

1.本发明中加大了二氧化钛的含量，二氧化钛和二氧化铁进行反应，形成稳定的铁-钛晶体结构，降低了三氧化二铁的含量，使得半导体釉的内部结构更加稳定，半导体性能更佳，随着使用时间的增加，半导体釉的半导体性能变化小；同时，形成的半导体釉由传统的黑色粗糙表面，变成了红褐色的光滑表面，且半导体釉的光泽度很好，表面结构细腻；增大二氧化钛的含量，可以提高半导体釉的耐腐蚀能力，适用范围更广，尤其是针对酸性或碱性等恶劣环境。

2.本发明在传统的三个氧化物中加入了碳酸钡，碳酸钡可作为熔剂，由于钡元素的原子量大，与传统的钾或者钠元素相比，钡元素更加稳定，为此，其电性能更加稳定，尤其是抗击穿性能更佳；同时，加入碳酸钡之后，能与钾、钠、铁、钛、锂、钙、镁等金属氧化物作用，形成低共熔点，加速其高温熔融，加快了熔解效率，且使得釉的表面更加光滑。