[发明专利]一种高电阻率的稀土永磁体的制备方法

说明书

本发明涉及一种高电阻率的稀土永磁体的制备方法，包括如下步骤：1)向R¹‑M‑B磁粉中添加绝缘片，其中，R¹为稀土元素中的一种或多种的复配，M为Ti、V、Cr、Mn、Co、Ga、Cu、Si、Al、Zr、Nb、W、Mo中的一种或多种的复配，所述绝缘片为石英、氧化锆、氧化铝、硅酸钙中的一种或多种的复配；将步骤1)所得的磁粉与绝缘片的混合物填充到模具中，进行取向压制；将步骤2)所得的毛坯进行烧结，后进行时效处理，得稀土永磁体。本发明工艺所制得的永磁体在保证磁体外观完整性的前提下，克服了其他方法不能大幅提高电阻率的问题；磁体应用到高频交变的电磁场环境及高速运转的电机中，可以使电机中的涡流损失大大降低。

技术领域

本发明涉及一种磁体的制备方法，尤其涉及一种稀土永磁体的制备方法，属于磁体的制备工艺技术领域。

背景技术

钕铁硼材料自问世以来，由于其高磁能积、高矫顽力等特点被广泛应用于计算机、通讯、航空航天、电机等诸多领域，成为制造效能高、体积小、质量轻的磁性功能材料的理想材料，对许多应用领域产生革命性的影响。但由于钕铁硼材料的自身特性，其电阻率较低，在高频交变的电磁场环境及高速运转的电机中，钕铁硼磁钢内部会产生明显的涡流损耗，从而导致磁体温度升高，造成能耗损失、磁体性能下降、导致磁钢烧蚀等各种不良。因此降低涡流损耗对于磁体在高频、交流、高速电机等领域的应用十分关键。

减少永磁体电机涡流损耗的途径主要有两个：一是通过设计电机转子。如分割磁体单元减少涡流损耗，但是切割磁体将大大提高制造成本；二是提高永磁体的电阻率减少涡流损耗。这是因为永磁体转子的涡流损耗与电阻率成反比关系。因此，提高永磁体的电阻率来减少涡流损耗成为研究的重点。

中国专利CN1185009介绍了在稀土永磁体中添加粘结剂和绝缘剂的方法来之制备粘结磁体的方法，通过粘结剂、绝缘剂的作用来提高磁体的电绝缘性。

日本专利特开平8-279407介绍了一种多磁极电绝缘R-Fe-B永磁体的制备方法。该磁体为烧结磁体，其在烧结成型后采用真空蒸镀的方法，在磁体表面镀上一层2-10μm聚酰亚胺树脂薄膜来改善磁体绝缘性能。

中国专利CN104425092A介绍了将钕铁硼磁钢本体与C/N/B/Si/S等非金属源接触，然后在高温下处理。使非金属源释放出活性的非金属原子并扩散进入钕铁硼磁钢本体中，改善磁体显微组织，提高磁体电阻率。

中国专利CN104959618A介绍了将NdFeB磁粉氮化以提高电阻率的方法。该专利通过将磁粉在300-400℃条件下通入氨气进行处理，使磁粉表面形成氮化层，利用氮化层的隔绝作用提高电阻率。

中国专利ZL201310314166介绍了通过采用Ca(NO₃)₂溶液和KF溶液在NdFeB粉体表面进行直接沉淀化学合成反应，然后将具有CaF₂包覆层的粉体通过取向、热压和热变形制备高电阻率磁体的方法。

以上方法大都是通过改善磁粉颗粒的绝缘性来提高磁体的电阻率，但提高电阻率程度有限且部分工艺操作难度较大，不易实现稳定生产。

发明内容

本发明针对现有技术中提高永磁体电阻的工艺方面存在的不足，提供一种高电阻率的稀土永磁体的制备方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种高电阻率的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)向R¹-Fe-M-B磁粉中添加绝缘片，其中，R¹为稀土元素中的一种或多种的复配，M为Ti、V、Cr、Mn、Co、Ga、Cu、Si、Al、Zr、Nb、W、Mo中的一种或多种的复配，所述绝缘片为石英、氧化锆、氧化铝、硅酸钙中的一种或多种的复配；