[发明专利]沟槽型双层栅MOSFET的制作方法

权利要求书

1.沟槽型双层栅MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅衬底上刻蚀形成沟槽，并在沟槽内生长沟槽层接膜；所述沟槽层接膜的膜层结构为氧化硅-氮化硅-氧化硅；

2)生长源极多晶硅，并反刻蚀源极多晶硅至沟槽上表面；

3)用光刻胶保护源极多晶硅引出端，对密集区的源极多晶硅进行反刻蚀；

4)依次去除沟槽层接膜中的部分外层氧化硅膜、保护源极多晶硅引出端的光刻胶、沟槽层接膜中的剩余外层氧化硅膜；

5)在源极多晶硅上方生长多晶硅间的氧化层；

6)去除沟槽层接膜中的氮化硅膜和内层氧化硅膜；

7)依次生长栅极氧化层、栅极多晶硅，并对栅极多晶硅进行反刻蚀；后续按照传统工艺流程完成沟槽型双层栅MOSFET的制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述沟槽层接膜中，内层氧化硅膜的厚度为中间层氮化硅膜的厚度为外层氧化硅膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2)中，利用波长侦测刻蚀终点。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3)中，反刻蚀完成后，剩余源极多晶硅的高度比沟槽上表面单晶硅衬底的高度低1微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤4)中，所述部分外层氧化硅膜的厚度为

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5)中，采用热氧化方法。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5)中，所述多晶硅间的氧化层的厚度为

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤7)中，栅极氧化层的厚度为

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤7)中，反刻蚀到单晶硅衬底表面。