[发明专利]防止光刻胶剥落的方法在审
| 申请号： | 201710004166.4 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106610569A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;吴兵;曹俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 光刻 剥落 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止光刻胶剥落的方法，用于离子注入工艺之后，刻蚀工艺之前，其特征在于，包括以下步骤：
1)对硅基板表面进行处理，将没有覆盖光刻胶的硅基板表面变成亲水性；
2)用水处理硅基板表面，使没有覆盖光刻胶的硅基板吸水膨胀；
3)对光刻胶进行固化处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基板为带有氧化膜的硅基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，采用等离子体刻蚀处理硅基板表面。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述等离子体为ASH等离子体。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1)，处理温度为200～300℃，压力1～10torr，时间为30～60s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述水为去离子水，处理时间为1～10min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，采用紫外光固化处理光刻胶。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述紫外光为UVC紫外光。
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