[发明专利]一种集成生长与测量的分子束外延生长系统

权利要求书

1.集成生长与测量的分子束外延生长系统，其特征是包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆(2)、可倾斜的样品台(3)、入射光(4)、反射光(5)、一对电磁铁(6)、偏振片(7)、检偏器(8)、激光二极管(9)、光电探测器(10)、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片，原位磁光表征系统包含对样品表面反射回的椭偏光即出射光进行探测的检偏器；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁，电磁铁的磁性由电磁铁线圈的电流提供；样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。

2.根据权利要求1所述的分子束外延生长系统，其特征是偏振片、检偏器、光电探测器既可以安装在视窗的法兰上或架在可调节的光学平台上。

3.根据权利要求1所述的分子束外延生长系统，其特征是样品操纵杆为三轴操纵杆。