[发明专利]一种液晶显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板、设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板和彩膜基板均具有相互对应的多个像素，每个像素由数个子像素构成，其特征在于：还包括多个分布于上述液晶层内的聚合物墙，所述聚合物墙对应于阵列基板和彩膜基板上像素的边缘区或者子像素的边缘区设置，所述彩膜基板的显示区内不设置黑色矩阵，所述阵列基板上设置挡光板。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述聚合物墙的上下两端分别与彩膜基板和阵列基板相连接。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述挡光板为不透光金属层。

4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述挡光板对应遮挡像素周围的金属走线之间的间隙以及像素上的TFT器件区。

5.如权利要求1-4任一项所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于：其包括如下步骤：

步骤1：提供彩膜基板，备用；

步骤2：提供阵列基板，备用；

步骤3：提供液晶材料，备用；所述液晶材料包括液晶分子和聚合物体系，所述聚合物体系包含聚合物单体、预聚物、光引发剂；

步骤4：采用传统灌液工艺或ODF工艺，得到由边框胶封闭的液晶盒；

步骤5：提供光罩，所述的光罩包括掩模部和透光部，所述透光部对应子像素的边缘区或像素的边缘区的区域设置，在彩膜基板一侧采用紫外光通过光罩对上述液晶盒进行照射，使得液晶盒内的聚合物体系在紫外光照射下发生反应，形成与透光部形状一致的聚合物墙。

6.如权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于： 所述阵列基板通过以下制作方法制得：在白基板上溅射沉积金属膜层；对所述金属膜层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到所需挡光板；然后在挡光板上采用CVD工艺沉积一层绝缘层，对所述绝缘层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模；再按照常规成膜工艺依次在绝缘层上形成栅极层、栅极绝缘层、硅岛层、源漏极层、保护层以及ITO层。

7.如权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于： 所述阵列基板通过以下制作方法制得：在白基板上溅射沉积金属膜层；对所述金属膜层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到所需挡光板；然后在挡光板上采用CVD工艺沉积一层绝缘层，对所述绝缘层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模；再按照常规成膜工艺依次在绝缘层上形成源漏极层、硅岛层、栅极绝缘层、栅极、保护层、ITO层。

8.如权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于： 所述阵列基板通过以下制作方法制得：在白基板上按照常规成膜工艺依次形成栅极层、栅极绝缘层、硅岛层、源漏极层、保护层以及ITO层，在ITO层上用CVD工艺沉积一层绝缘层，对所述绝缘层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到与挡光板结构一致的绝缘层，然后在绝缘层上溅射沉积金属膜层；对所述金属膜层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到所需挡光板。

9.如权利要求5所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于： 所述阵列基板还可以通过以下制作方法制得：在白基板上按照常规成膜工艺依次形成源漏极层、硅岛层、栅极绝缘层、栅极、保护层、ITO层，在ITO层上用CVD工艺沉积一层绝缘层，对所述绝缘层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到与挡光板结构一致的绝缘层，然后在绝缘层上溅射沉积金属膜层；对所述金属膜层依次进行涂胶、曝光、显影制程，并经过刻蚀及脱模，得到所需挡光板。

10.如权利要求6-9任一项所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于：所述白基板是玻璃基板，或者是加在衬底玻璃上的塑料基板。