[发明专利]无网结网版线槽结构及其图形印刷工艺和制得的电池片在审
申请号: | 201710006083.9 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN108274886A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 贾云涛;胡实;陈富贵 | 申请(专利权)人: | 常州三立精图光电有限公司 |
主分类号: | B41F15/36 | 分类号: | B41F15/36;H01L31/0224;B41M1/12 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 康潇 |
地址: | 213100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅连线 结网 线槽结构 边框线 防断 栅线 周期性弯曲 波浪形槽 图形印刷 电池片 纬线 晶硅太阳能电池 光电转化效率 导电性 导电金属线 晶硅电池片 印刷 方向一致 宽度相等 生产技术 槽设计 栅线槽 变窄 浆料 网版 网布 主栅 成型 | ||
本发明属于晶硅太阳能电池生产技术领域,具体涉及一种无网结网版线槽结构及其图形印刷工艺和制得的电池片,无网结网版线槽结构包括栅连线槽、栅线槽和主栅槽等,栅连线槽的走向和纬线的方向一致,栅连线槽为周期性弯曲的波浪形槽。本发明的有益效果是:本发明的无网结网版上,栅连线槽设计成周期性弯曲的波浪形槽,不会出现纬线与边框线或防断栅线的同方向重叠部分太长的现象,从而不会导致使边框线或防断栅线变窄而浆料不易被印刷透过网版网布,按此方法制成的边框线或防断栅线宽度相等,即通过新型的栅连线槽印刷后的导电金属线成型质量好,导电性高,利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池生产技术领域,具体涉及一种无网结网版线槽结构及其图形印刷工艺和制得的电池片。
背景技术
晶硅太阳能电池的制造工艺中,需要在硅片表面制作栅线以收集硅片中光电转换产生的电流,现有技术采用如下工艺制作栅线:首先在掩膜版上制作栅线图形,利用该图形在网版上对涂覆的光敏胶进行曝光和显影进行光刻,制作出光敏胶中空线槽,然后通过丝网印刷将导线金属浆料(如银浆)透过网版的槽线印刷在硅片上,烧结制成栅线。如图1所示,现有的网版包括网布和光敏胶层,光敏胶层涂覆在不锈钢网布上,编制不锈钢网布的经线2和纬线3之间相互交叉。掩膜版上制备有栅线图形,将掩膜版紧贴于网版上有光敏胶层的一面,用紫外光照射,没有被掩膜版栅线图形遮挡的部分,在紫外光条件下固化,而遮挡的部分可冲洗掉,形成槽线。这些形成的槽线,与经线2和纬线3之间并没有固定的位置关系,往往是互相交叉的,因而丝网中经线2和纬线3形成的交叉点大量的出现在槽线中。
为了提高电池片的光电转换效率,需要尽可能减小硅片上栅线的宽度,以增大光照面积,但是,当槽线宽度过窄时(通常为微米级),因为这些经线2和纬线3的交叉点的存在,会阻碍金属导线浆料顺利的从槽线漏印在硅片上;同时印刷浆料时,在经线2和纬线3交叉点位置与经紫外光固化后显影时在槽线部位形成的光敏胶的边沿构成的三角形区域内,具有一定粘度的浆料会不断累积,导致金属浆料能够在槽线中有效渗透通过丝网的面积不断减少,因此,造成硅片上导电栅线出现低点或断点,从而导致栅线的导电性能较差,影响了制得的晶硅电池片的光电转化效率。
另外,金属丝网在编制过程中,由于编制方法的原因,经线2可以始终保持很直,但是纬线3不是很直;导致无网结网版的栅线槽4沿经线2方向布置时,成型的栅线可以达到与经线2始终平行;但是边线需要沿纬线3放置,由于纬线3的倾斜或者弯曲,导致边框线槽或防断栅线槽1不能完全放置在两根纬线3之间,形成压线现象,制成的边框线或防断栅线宽窄不一。如图1所示,由于边框线槽或防断栅线槽1的槽壁线与纬线3重叠,导致边框线或防断栅线宽度变窄,边框线或防断栅线成型质量差,不利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在由于边框线槽或防断栅线槽的槽壁线与纬线重叠,导致边框线或防断栅线宽度变窄,边框线或防断栅线成型质量差的缺陷,提供一种制成的边框线或防断栅线宽度相等,边框线或防断栅线成型质量好,导电性高,利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率的无网结网版线槽结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种无网结网版线槽结构,其包括设置于网版上的栅连线槽以及相互垂直交叉的经线和纬线,栅连线槽的走向和纬线的方向一致,栅连线槽为周期性弯曲的波浪形槽。
本发明的无网结网版上,栅连线槽可用于制成宽度相等的边框线或防断栅线,栅连线槽设计成周期性弯曲的波浪形槽,不会出现纬线与边框线或防断栅线的同方向重叠部分太长的现象,从而不会导致使边框线或防断栅线变窄而浆料不易被印刷透过网版网布,按此方法制成的边框线或防断栅线宽度相等,即通过栅连线槽印刷后的导电金属线成型质量好,导电性高,利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。
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