[发明专利]一种薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、源极、漏极，其特征在于：还包括银掺杂氧化锌锡合金层，所述栅绝缘层的表面上相对两侧设有源极、漏极，所述银掺杂氧化锌锡合金层设置在栅绝缘层的表面且源极、漏极的两端分别与其接触，所述银掺杂氧化锌锡合金层包括沟道区域，沟道区域位于源极、漏极之间，银掺杂氧化锌锡合金层中银占氧化锌锡重量的1-2％。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极为铟锡氧化物栅极。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述栅绝缘层为二氧化硅薄膜。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：在基板上光刻铟锡氧化物栅极；

步骤2：在基板上光刻覆盖栅极的二氧化硅栅绝缘层；

步骤3：在二氧化硅栅绝缘层上形成银掺杂氧化锌锡合金层；

步骤4：镀源极、漏极；

步骤5：低温退火处理。

5.根据权利要求4所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，银掺杂氧化锌锡合金层中的银元素通过射频磁控溅射法将银元素混和在靶材中的方式掺入氧化锌锡薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述制备银掺杂氧化锌锡合金层的工艺条件为抽真空至1.9×10^-4Pa，通入通入体积比为1∶3的氩气和氧气混合气体后开始溅射。

7.根据权利要求4所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤4中通过小型离子溅射仪沉积厚度为100nm的金属铂作为源极、漏极。

8.根据权利要求4所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，低温退火处理的具体方法为：将样品在室温下放进退火装置后升温，在空气气氛中80-100℃退火20分钟，自然冷却后取出。