[发明专利]一种改进型功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710007826.4 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106784222A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄国华;蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟;乔世成 | 申请（专利权）人： | 宗仁科技（平潭）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 350400 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种改进型功率半导体器件，包括多个元胞MOS器件，其特征在于，所述元胞MOS器件的多晶栅具有倾斜的侧壁，所述元胞MOS器件的源区具有元素一次性注入形成的梯度式的浓度分布。
2.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述梯度式的浓度分布自源区往器件沟道区方向依次递减。
3.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，自源区往器件沟道区方向，所述梯度式的浓度分布的宽度在0.10～0.25微米的范围内。
4.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述元素为第一导电类型元素或者第二导电类型元素。
5.如权利要求1所述的改进型功率半导体器件，其特征在于，所述侧壁的倾斜角在60～80度的范围内。
6.一种改进型功率半导体器件的制备方法，所述改进型功率半导体器件包括多个元胞MOS器件，其特征在于，所述方法在所述元胞MOS器件的源区制备完之后包括下述步骤：
对所述元胞MOS器件的多晶栅侧壁进行刻蚀，使所述多晶栅侧壁为倾斜的侧壁；
对所述元胞MOS器件的源区注入元素，使所述元胞MOS器件的源区具有元素一次性注入形成的梯度式的浓度分布。
7.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述梯度式的浓度分布自源区往器件沟道区方向依次递减。
8.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，自源区往器件沟道区方向，所述梯度式的浓度分布的宽度在0.10～0.25微米的范围内。
9.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述元素为第一导电类型元素或者第二导电类型元素。
10.如权利要求6所述的改进型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧壁的倾斜角在60～80度的范围内。
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