[发明专利]一种IGBT饱和压降检测电路在审
申请号: | 201710009386.6 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN106645900A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 涂光炜 | 申请(专利权)人: | 四川埃姆克伺服科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 王芸,熊晓果 |
地址: | 610225 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 饱和 检测 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电机驱动领域,特别涉及一种IGBT饱和压降检测电路。
背景技术
现有技术中,IGBT是伺服电机驱动电路中必不可少的开关器件,但是由于IGBT的固有特性,如果对IGBT采用硬关断方式,在关断瞬间其C极、E极极间电压会出现飙高至额定值以上数倍,这对器件安全造成了极大的危害,由此通常需要有专门的压降检测电路对IGBT的CE极间电压进行检测,同时,由于极短时间内的极间电压飙高是可以忍受的,因此需要对电压飙高时间进行评估,只有超出时间阈值的电压飙高才需要控制器件做出反应。
发明内容
本发明的目的在于可以检测IGBT在关断时CE极间电压值,且可具有报警时间设定功能的饱和压降检测电路。
为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:
一种IGBT饱和压降检测电路,包括第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接,用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压;
还包括,第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1;
所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接,正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接,第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接;
所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接;同时,所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地;
其中,第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。
本电路中,第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1共同决定IGBT的CE极间电压报警阈值,而第四电阻R4、第一电容C1共同决定报警时间。
与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明提供的IGBT饱和压降检测电路可通过设置第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1值决定报警电压阈值,同时通过第四电阻R4和第一电容C1调整报警时间,只有超过阈值的极间电压存在时间超过报警时间,本电路的输出端口才会输出报警信号至控制器(如驱动光耦)。
附图说明:
图1为本发明实施例中饱和压降检测电路电路图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。
实施例1:如图1所示,本实施例提供一种IGBT饱和压降检测电路,包括第一端口及第二端口,所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接,用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压;
还包括,第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1;所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接,正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接,第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接;所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接;同时,所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地;其中,第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。本电路中,第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1共同决定IGBT的CE极间电压报警阈值,而第四电阻R4、第一电容C1共同决定报警时间。
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