[发明专利]一种集成电路用相位移光掩模制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光掩模及其制造方法，具体涉及一种集成电路用相位移光掩模制造方法。

背景技术

半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，例如，在半导体基底的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形等。随着大规模集成电路工艺技术的迅速发展，对光掩模的质量，包括各种掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了极高的要求。由于光掩模的质量是影响集成电路功能和芯片成品率的重要因素之一。为保证光掩模的质量，必须对光掩模的缺陷密度、精度及图形质量等进行严格的控制。

传统的光掩膜通常在掩膜制作完成后对该待检光掩模进行清洗，随后再进行图形检查以确定该待检光掩模是否合格，如果合格则送入贴膜机进行贴膜后出货，否则进一步判断是否可以采用修补设备进行修补，但在缺陷修补过程中，常因扫描造成相移层损伤而造成掩膜的报废。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有的光掩膜通常在掩膜制作完成后对掩膜进行检查，发现缺陷时进行缺陷修补，但在缺陷修补过程中，常因扫描造成相移层损伤而造成掩膜的报废的缺陷，提供一种一种集成电路用相位移光掩模制造方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

一种集成电路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步骤：曝光、烘烤、显影、蚀刻、去光阻、二次蚀刻、清洗、检测、修补、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去铬膜、二次去光阻、量测、第三次清洗、贴护膜、第二次检测、出货。

本发明的集成电路用相位移光掩模制造方法，在传统的制作流程中加一道检查工序，可以在二次曝光前及时发现缺陷并进行修补，因表面有铬金属层保护相移层，不会造成损伤，等缺陷修补完成之后，进行后续工序，从而克服了传统光掩膜容易因缺陷修补时常因扫描造成相移层损伤而造成掩膜的报废的缺陷。

具体实施方式

以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例

一种集成电路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步骤：曝光、烘烤、显影、蚀刻、去光阻、二次蚀刻、清洗、检测、修补、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去铬膜、二次去光阻、量测、第三次清洗、贴护膜、第二次检测、出货。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。