[发明专利]一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法

权利要求书

1.一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、将尺寸为1cm×1cm的待测薄膜安装在样品架上；

b、设置入射正电子的能量范围，采集所述待测薄膜在不同入射正电子能量下的湮没辐射能量谱；

c、选择所述湮没辐射能量谱中511keVγ衍射峰的中央区域宽度和两翼区域宽度，并根据公式S＝A/SUM(1)和W＝B/SUM(2)，计算待测薄膜的线型参数S和W；

其中，S为中央区域湮没计数A与峰总区域计数SUM之比，W为两侧区域湮没计数B与峰总区域计数SUM之比，中间区域为511keV±|ΔE_γ|，|ΔE_γ|为0.76keV，两侧区域为1.44keV≤|ΔE_γ|≤4.81keV。

d、另取一片尺寸为1cm×1cm的待测薄膜安装在样品架上，重复步骤a-c，得到该待片测薄膜的S和W参数，再依次采集完该系列的所有待测薄膜的湮没辐射能量谱，得到该系列的所有待测薄膜的S和W参数；

e、根据所述步骤d中得到的S和W参数值，作出该系列的待测薄膜的S-W曲线，判断其是否为相同的闭孔结构；

f、根据相同类型的闭孔薄膜之间的线性关系S∝V_p，V_p为闭孔孔隙率，由无孔薄膜的S参数，得到这一系列待测闭孔薄膜的孔隙率。

2.根据权利要求1所述的纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于，所述待测薄膜是以0-25wt％的三嵌段共聚物F127作为致孔剂采用溶胶-凝胶法合成制得的一系列待测薄膜。

3.根据权利要求1所述的纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于，所述步骤b中根据待测薄膜的厚度及α₊＝16ρ/E^1.43及来设置入射正电子的能量范围；

其中，α₊为正电子的注入深度，ρ为待测材料的密度，E为入射正电子的最大能量。

4.根据权利要求1所述的纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于：所述步骤b中采用带高纯Ge探头基于慢正电子束的多普勒展宽谱仪采集待测薄膜在不同入射正电子能量下的湮没辐射能量谱。

5.根据权利要求1所述的纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，其特征在于：所述步骤f中S和V_p均与I_3γ呈线性关系。