[发明专利]可变电阻存储器件有效
申请号: | 201710010507.9 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN106992196B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 朴日穆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 | ||
1.一种可变电阻存储器件,包括:
在第一方向上延伸的第一导线;
在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的第二导线,其中所述第二导线在垂直于所述第一和第二方向的第三方向上与所述第一导线间隔开;以及
在所述第一导线和所述第二导线之间的第一开关元件和第一可变电阻结构,其中所述第一开关元件在所述第三方向上与所述第一可变电阻结构间隔开,
其中所述第一开关元件每个包含在所述第三方向上延伸的第一部分以及从所述第一部分的下部分在所述第一方向上或所述第二方向上延伸的第二部分,所述第一部分在所述第三方向上从所述第二部分的边缘延伸。
2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,其中所述第一开关元件中的一对相邻第一开关元件关于所述第三方向镜像对称。
3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,还包含在所述第一开关元件和所述第一可变电阻结构之间的中间电极。
4.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件,其中所述第一可变电阻结构在所述第二导线和所述第一开关元件之间。
5.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件,还包含在所述第一导线和所述第一可变电阻结构之间的加热器电极,所述加热器电极包含比所述中间电极高的电阻率,
其中所述第一开关元件部分地暴露所述中间电极的相应的顶表面。
6.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件,其中所述中间电极的侧壁在所述第三方向上与所述第一开关元件的侧壁对准。
7.根据权利要求6所述的可变电阻存储器件,还包含在所述中间电极和所述第一可变电阻结构之间的加热器电极,所述加热器电极包含比所述中间电极高的电阻率。
8.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件,还包含在所述第二导线和所述第一可变电阻结构之间的加热器电极,所述加热器电极包含比所述中间电极高的电阻率。
9.根据权利要求8所述的可变电阻存储器件,还包含在所述加热器电极的侧壁上以及在所述第一可变电阻结构上的绝缘间隔物。
10.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件,其中每个所述第一可变电阻结构的截面包含朝向所述中间电极逐渐减小的宽度。
11.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,
其中所述第一开关元件在所述第一可变电阻结构上,以及
其中所述可变电阻存储器件还包括在所述第一可变电阻结构和所述第一导线之间的阻挡图案。
12.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,还包括:
在所述第三方向上与所述第一导线间隔开的第三导线,其中所述第二导线在所述第一导线和第三导线之间;以及
在所述第二导线和所述第三导线之间的第二开关元件和第二可变电阻结构,其中所述第二开关元件在所述第三方向上与所述第二可变电阻结构间隔开。
13.根据权利要求12所述的可变电阻存储器件,其中所述第二开关元件每个包含在所述第三方向上延伸的第三部分以及在所述第一方向或所述第二方向上从所述第三部分延伸的第四部分。
14.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,
其中所述第一可变电阻结构在所述第一导线和所述第二导线的相应交叉点处,以及
其中所述第一可变电阻结构在所述第一和第二方向上彼此间隔开。
15.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件,其中所述第一可变电阻结构均共同地连接到多个所述第一开关元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的