[发明专利]一种纳米间隙的制备方法

权利要求书

1.一种纳米间隙的制备方法，包括如下步骤：

提供一基底，在所述基底的表面处施加第一光刻胶层，并按照第一预定图形形成第一光刻胶图形；

按照所述第一光刻胶图形在所述基底处沉积第一材料，或者按照所述第一光刻胶图形将所述基底刻蚀预定深度；

去除所述第一光刻胶层，以获得由所述第一材料在所述基底的表面形成的与所述第一光刻胶图形对应的第一材料层，所述第一材料层具有第一厚度，或者以获得由所述基底自身形成的凸起层；

以预定入射角度在具有第一材料层或凸起层的所述基底处沉积第二材料，以形成具有第二厚度的第二材料层，以在所述第一材料层和所述第二材料层之间形成所述纳米间隙；

其中，通过调节所述第一材料层的第一厚度以及所述预定入射角度，以改变所述纳米间隙的尺寸。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，形成具有第二厚度的第二材料层的方法还包括：

在具有第一材料层或凸起层的所述基底处施加第二光刻胶层，并按照第二预定图形形成第二光刻胶图形；

以所述预定入射角度按照所述第二光刻胶图形在具有第一材料层或凸起层的所述基底处沉积第二材料；

去除所述第二光刻胶，以获得由所述第二材料形成的与所述第二光刻胶图形对应的第二材料层，所述第二材料层具有第二厚度。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，所述纳米间隙的尺寸小于5nm。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其中，所述第一材料层的侧面相对垂直于所述基底的表面。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其中，所述基底采用的材料选自硅、二氧化硅、蓝宝石中的一种。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其中，所述第一光刻胶层或所述第二光刻胶层采用的材料选自PMMA、ZEP、AZ中的一种。

7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其中，所述第一材料选自金属材料金、银、铬中的一种；或选自介质材料ITO、氧化铝中的一种；或选自半导体材料氧化锌、氧化镓中的一种；

优选地，所述第二材料选自金属材料金、银、铬中的一种；或选自介质材料ITO、氧化铝中的一种；或选自半导体材料氧化锌、氧化镓中的一种。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其中，所述第一材料与所述第二材料采用相同的材料。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其中，所述第一材料与所述第二材料采用不同的材料。

10.根据权利要求1或3所述的制备方法，其中，所述第一厚度不小于所述第二厚度。