[发明专利]电荷泵电路、电荷泵系统和存储器有效

专利信息
申请号: 201710011837.X 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN106787691B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;G11C5/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电荷 电路 系统 存储器
【权利要求书】:

1.一种电荷泵电路,其特征在于,包括:

电荷泵单元,其输入端耦接所述电荷泵电路的输入端,其输出端耦接所述电荷泵电路的输出端;

时钟升压电路,接收时钟信号,适于将所述时钟信号进行升压,以输出升压时钟信号;

升压电路,接收所述升压时钟信号,适于基于所述升压时钟信号提升电压,以输出升压信号;

传输电路,适于将所述升压信号传输至所述电荷泵单元;所述时钟升压电路包括:

第一电容单元,所述第一电容单元的第一端接收反相时钟信号,所述反相时钟信号与所述时钟信号反相;

第一开关单元,具有第一开启特性,其控制端接收所述反相时钟信号,其第一端耦接电源;

第二开关单元,具有所述第一开启特性,其控制端接收所述升压时钟信号,其第一端耦接所述第一开关单元的第二端,其第二端耦接所述第一电容单元的第二端;

第三开关单元,具有所述第一开启特性,其控制端接收所述时钟信号,其第一端耦接所述第二开关单元的第二端,其第二端输出所述升压时钟信号;

第四开关单元,具有不同于所述第一开启特性的第二开启特性,其控制端接收所述时钟信号,其第一端耦接所述第三开关单元的第二端,其第二端接地。

2.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述时钟信号为周期信号,且在每一周期内具有高电平和低电平,所述时钟升压电路适于将反相时钟信号每一周期内的高电平进行升压,并保持低电平不变,以得到所述升压时钟信号。

3.根据权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于,所述时钟升压电路为倍压电路,适于将所述时钟信号的幅度升压为两倍。

4.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,

所述第一开关单元包括:第一PMOS管,所述第一PMOS管的栅极耦接所述第一开关单元的控制端,所述第一PMOS管的源极耦接所述第一开关单元的第一端,所述第一PMOS管的漏极耦接所述第一开关单元的第二端;

所述第二开关单元包括:第二PMOS管,所述第二PMOS管的栅极耦接所述第二开关单元的控制端,所述第二PMOS管的源极耦接所述第二开关单元的第一端,所述第二PMOS管的漏极耦接所述第二开关单元的第二端;

所述第三开关单元包括:第三PMOS管,所述第三PMOS管的栅极耦接所述第三开关单元的控制端,所述第三PMOS管的源极耦接所述第三开关单元的第一端,所述第三PMOS管的漏极耦接所述第三开关单元的第二端。

5.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第四开关单元包括:

第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极耦接所述第四开关单元的控制端,所述第一NMOS管的源极耦接所述第四开关单元的第二端;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极耦接电源,所述第二NMOS管的源极耦接所述第一NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极耦接所述第四开关单元的第一端。

6.根据权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电容单元包括第一电容,所述第一电容的第一端耦接所述第一电容单元的第一端,所述第一电容的第二端耦接所述第一电容单元的第二端;

所述升压电路包括:第二电容,所述第二电容的第一端耦接所述升压电路的输入端,所述第二电容的第二端耦接所述升压电路的输出端。

7.根据权利要求6所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电容的栅氧化层厚度小于所述第二电容的栅氧化层厚度。

8.根据权利要求6所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电容包括:第四PMOS管,所述第四PMOS管的栅极耦接所述第一电容的第一端,所述第四PMOS管的衬底耦接所述第四PMOS管的源极、漏极以及所述第一电容的第二端。

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