[发明专利]一种高红外发射率陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高红外发射率陶瓷，其特征在于，制备所述高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al₂O₃、25－32％的SiO₂、3－7％的Y₂O₃和2－5％的K₂CO₃；并且所述高红外发射率陶瓷在波长为1－22μm的波段内的红外发射率为88－90％，或在波长为8－14μm的波段内的红外发射率为90－92％。

2.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，制备所述高红外发射率陶瓷的原料包括按重量百分比计的32－35％的富镁冶金镍渣、30.2－30.5％的Al₂O₃、28.7－30.3％的SiO₂、3－6％的Y₂O₃和3－4％的K₂CO₃。

3.根据权利要求1所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述富镁冶金镍渣来源于金属镍和镍合金冶炼过程中排放的固体废渣。

4.根据权利要求3所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，所述富镁冶金镍渣包括SiO₂、Al₂O₃和MgO。

5.根据权利要求4所述的高红外发射率陶瓷，其特征在于，按重量百分比计，SiO₂占所述富镁冶金镍渣总量的50－60％，Al₂O₃占所述富镁冶金镍渣总量的5－10％，MgO占所述富镁冶金镍渣总量的30－40％。

6.一种高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将按重量百分比计的30－40％的富镁冶金镍渣、30－35％的Al₂O₃、25－32％的SiO₂、3－7％的Y₂O₃和2－5％的K₂CO₃混合，造粒后制成陶瓷胚体，然后将所述陶瓷胚体进行煅烧；获得的所述高红外发射率陶瓷在波长为1－22μm的波段内的红外发射率为88－90％，或在波长为8－14μm的波段内的红外发射率为90－92％。

7.根据权利要求6所述的高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：将所述富镁冶金镍渣在转速为300－500转/min的条件下球磨3－5h。

8.根据权利要求6所述的高红外发射率陶瓷的制备方法，其特征在于，将所述陶瓷胚体进行煅烧包括：

以2－5℃/min的升温速率将所述陶瓷胚体升温至300－400℃，并保温1－2h；以及

以3－5℃/min的升温速率继续将所述陶瓷胚体升温至1200－1300℃，并保温2－4h。