[发明专利]一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，采用可程式直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9％以上的钴，衬底为单晶Si片(100)，在沉积之前，将硅片清洗，然后将真空室本底真空抽至3-5x10^-4Pa，溅射气体为高纯氩气，溅射压强为1.5-2Pa，衬底温度为室温；钴薄膜的生长速率由溅射功率决定，即薄膜的厚度通过控制溅射时间控制；占空比为50％，溅射功率150-200W，制备纯HCP相薄膜；占空比为67％，溅射功率为150-200W，制备FCC和HCP混合相钴薄膜；占空比为100％，溅射功率为150-200W，制备纯FCC相薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，其特征是，所述溅射靶材选直径60mm，厚度3mm的钴。

3.根据权利要求1所述的一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，其特征是，所述高纯氩气的流量为30sccm，通过闸板阀调节真空室真空度为1.5-2Pa。

4.根据权利要求1所述的一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，其特征是，为了去除钴靶材表面氧化物和污渍，先对靶材预溅射20min，然后打开挡板，进行钴薄膜的沉积。

5.根据权利1所述的一种不同相结构的纳米晶钴薄膜的制备方法，其特征是，采用的磁控溅射仪的电源系统配有一台DSP-600-01.25HD可程式直流电源，最大功率可达到600W。

6.根据权利1所述的一种不同相结构的纳米晶钴薄膜的制备方法，其特征是，表征方法为XRD表征。