[发明专利]一种活性气体辅助生长晶体硅的方法

权利要求书

1.一种活性气体辅助生长晶体硅的方法，包括如下步骤：

S1：将硅料入铸锭炉后加热熔化，待硅料完全熔化后，将注气管逐渐从炉腔顶部伸到硅熔体上表面，缓慢通过注气管向炉体内通入氩气；

S2：待注气管表面温度与硅熔体接近后，将注气管逐渐伸入硅熔体的内部，同时保持氩气流；

S3：注气管逐渐伸入硅熔体中下部，注气管的出气口距离长晶界面5-10mm处，将注气管中的氩气切换成氩气稀释的Cl₂、HCl、氯化烷烃或氯化烯烃的一种或几种的混合气体；

S4：随着长晶界面高度的不断上升，不断提升注气管的高度，并始终保持注气管的出气口距离长晶界面5-10mm，待长晶过程即将完成时，将注气管中的活性气体切换成氩气，并将注气管提升至硅熔体液面之上。

2.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-45‰的Cl₂、1-50‰HCl，0.1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。

3.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：10-45‰的Cl₂、10-45‰HCl，1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。

4.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：10-45‰的Cl₂、10-45‰HCl，1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。

5.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-45‰的Cl₂，余量为氩气。

6.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-50‰HCl，余量为氩气。

7.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：0.1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。

8.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-45‰的Cl₂、1-50‰HCl，余量为氩气。

9.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-50‰HCl，0.1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。

10.根据权利要求1所述的活性气体辅助生长晶体硅的方法，其特征在于：在步骤S3中，所述混合气体为体积百分比的下述气体：1-45‰的Cl₂，0.1-20‰氯化烷烃和/或氯化烯烃，余量为氩气。