[发明专利]反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法

权利要求书

1.反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，其特征在于，

在一定的加工参数下，对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削，其中，所述的加工参数满足的条件是：磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅；

所述磨料水射流铣削加工参数如下：

磨料流量：每小时消耗的磨料的质量，为25kg/h；

磨料种类：为石榴石，磨料粒度为80目；

喷射角度：水刀与工件表面所成的角度，为90度；

水射流压力：100MPa；

靶距：水射流喷嘴距离工件表面的距离，为60mm；

喷嘴横移速度：喷嘴在加工方向上移动的速度，为1000mm/min；

横向进给量：水射流一次铣削加工过程中，喷嘴沿着与横移速度方向垂直的方向移动的距离，为2mm；

其最终获得的碳化硅陶瓷表面的表面粗糙度Ra<6.3μm；

磨料喷嘴的两条射流中心轨迹保持一定间距的情况下，磨料喷嘴往返移动一个循环，将工件表面上一个射流加工区内的表面残留物去除，喷嘴每往复移动一次，沿着与喷嘴横移速度方向垂直的方向移动一定的距离，以实现整个碳化硅陶瓷素坯表面上的残留物的去除。

2.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，其特征在于，所述的磨料水射流是通过磨料喷嘴实现的，所述的喷嘴运动的路径能够覆盖整个碳化硅陶瓷表面，保证相邻路径的间隔和扫描速度恒定。

3.如权利要求2所述的反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，其特征在于，所述的喷嘴的扫描路径选择为光栅状扫描路径，同心圆式的扫描路径或螺旋线式的扫描路径。