[发明专利]改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法有效
| 申请号： | 201710016992.0 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106654003B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;曾晓琳;程树英;陈涌海;赖云锋;郑巧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改变 gaas algaas rashba 自旋 轨道 耦合 温度 变化 方法 | ||
1.一种改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；
步骤S2：调整光路，使激光光斑位于样品两个电极中间，激光的入射角度为30°；
步骤S3：使入射激光波长为1064nm，将样品置于杜瓦瓶中，控制样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Rashba自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流；
步骤S4：使入射激光波长为532nm，将样品置于杜瓦瓶中，控制样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Rashba自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。
2.根据权利要求1所述的一种改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法，其特征在于：所述步骤S1中用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品具体为：用分子束外延法在GaAs衬底上生长半导体量子阱样品；样品的生长过程为：首先在样品上生长10个周期GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格作为缓冲层，再生长大于1μm的GaAs缓冲层，然后生长30nm厚的Al0.3Ga0.7As，进行Si-δ掺杂后再生长50nm厚的Al0.3Ga0.7As，最后生长10nm厚的GaAs；在 GaAs/AlGaAs异质结的界面上形成二维电子气。
3.根据权利要求1所述的一种改变GaAs/AlGaAs中Rashba自旋轨道耦合随温度变化的方法，其特征在于：所述步骤S3与步骤S4中，样品温度的控制通过杜瓦瓶和温控箱组成的温控系统。
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