[发明专利]一种避免像素电极open的结构设计及其制备工艺

权利要求书

1.一种避免像素电极open的结构设计，其特征在于，所述结构设计为特殊LS结构半导体基板，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和 PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔。

2.根据权利要求1所述的结构设计，其特征在于，所述特殊LS结构半导体基板还包括多晶硅层、漏极电极、有源层和栅控有源沟道，所述多晶硅层和栅控有源沟道均设置在所述LS遮光层上方，所述多晶硅层连接漏极电极，所述LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，所述漏极电极位于LS遮光层边界处正上方。

3.根据权利要求1所述的结构设计，其特征在于，所述LS遮光层通过二次刻蚀形成。

4.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在于，所述PLN孔与所述LS遮光层边界位置相对固定。

5.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在于，所述LS遮光层覆盖整个栅控有源沟道。

6.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在于，所述漏极电极位置高于所述漏极电极周侧区域。

7.一种避免像素电极open的结构设计的制备工艺，基于上述权利要求1-6之一所述的结构设计，其特征在于，所述制备工艺对所述结构设计通过设置LS遮光层，在LS遮光层边界位置形成漏极电极刻蚀孔，在漏极电极处形成凸起结构，在凸起结构正上方完成PLN打孔。

8.根据权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

S1：设置加厚的LS遮光层；

S2：对LS遮光层进行第一次刻蚀工艺，设置LS遮光层边缘坡度相对较小；

S3：在LS遮光层之上设置栅控有源沟道和与漏极电极接触的多晶硅层，在LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，漏极电极位于LS遮光层正上方；

S4：再进行PLN层涂覆，再在漏极电极正上方完成PLN打孔，打孔位置与LS遮光层边界位置相对固定；

S5：完成像素电极线P-ITO在刻蚀孔处的淀积。

9.根据权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，所述LS遮光层材料为遮光材料。